*10.9% 三星有望稱霸半導體
本文來源：環球網科技 ,轉載請注明出處 導讀：據IHS數據顯示，三星在半導體方面發展有成，與英業界特爾*差距縮小，或許有望超車英特爾。
IHS24日公布，2014年英特爾半導體*達14.2%，衛冕市場霸主;三星電子以10.9%*緊追在后，虎視眈眈英特爾的*地位，雙方差距僅剩3.3%。
韓國專家認為，三星若能在非內存領域加碼購并、放膽投資，有望在四、五年內擠下英特爾，篡位為王。
三星市占大躍進，主因內存表現突出，三星在2013年開發出3DV-NAND技術，之后又搶先各家，*個跨入20納米DRAM制程。業界估計，三星半導體部門*季營益將沖上3兆韓元。
IHS24日公布，2014年英特爾半導體*達14.2%，衛冕市場霸主;三星電子以10.9%*緊追在后，虎視眈眈英特爾的*地位，雙方差距僅剩3.3%。
韓國專家認為，三星若能在非內存領域加碼購并、放膽投資，有望在四、五年內擠下英特爾，篡位為王。
三星市占大躍進，主因內存表現突出，三星在2013年開發出3DV-NAND技術，之后又搶先各家，*個跨入20納米DRAM制程。業界估計，三星半導體部門*季營益將沖上3兆韓元。
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