高溫壓力傳感器功能及其優勢如下：

 

　　絕緣體上硅（SOI）傳感器–無PN結高溫能力–在高達1000°F（538°C）的溫度下連續運行。對EMI不敏感–沒有其他有源電子組件的設備將在每米200伏的磁場下工作。對ESD不敏感單晶硅集成傳感器高可靠性–傳感器本身的MTBF計算為三百萬（3,000,000）小時。

 

　　無遲滯高精度–Kulite高溫壓力傳感器的典型靜態誤差帶–包括非線性，滯后和可重復性–小于滿刻度的百分之一（0.1％FS）。無鉛傳感器消除了金鉛和相關的機械接頭耐沖擊和振動高溫能力小型化體積小，重量輕–傳感器尺寸從.030x.030英寸到.1x.1英寸，允許超微型封裝。

 

　　對振動和加速度影響的敏感度低–這些超小型傳感元件的質量非常輕，可以轉換成很高的固有頻率。低質量也使它們沖擊和振動不敏感，直到它們達到很高的水平。此外，Kulite還開發了一種新型傳感器并申請了，該傳感器消除了極高振動對換能器輸出信號的影響。

 

　　高溫壓力傳感器產品詳細說明：

 

　　所有現代Kulite高溫壓力傳感器中使用的傳感器都是絕緣的絕緣體上硅（SOI）設備。這是Kulite傳感器與大多數其他硅高溫壓力傳感器制造商采用的傳感器之間的根本區別。Kulite傳感器由原子結合在一起的三層結構組成。

 

　　一層是單晶N型硅。該層被微加工成機械壓敏膜片。隔膜的厚度隨其預期的滿量程壓力范圍而變化。選擇厚度，以使該層在該滿量程壓力下每英寸應變大約為350至400微英寸。對于單晶硅而言，這是非常保守的應變水平，可確保持久耐用的機械傳感器運行。

 

　　第二層二氧化硅是在N型硅膜片的正上方生長的。該層在包含惠斯通電橋電路的層的N型硅和P型硅之間提供電介質隔離，從而消除了器件設計中的PN結，并具有更高的溫度工作能力。

 

　　通過專有的高溫工藝，第三層在分子間水平上熔融鍵合到二氧化硅層上。該層包含在惠斯通電橋電路中構圖的四個P型硅應變計。使用光刻和反應離子增強（RIE）等離子刻蝕對P型硅進行構圖，以確保對應變計進行準確的尺寸控制。包括互連在內的應變計網絡包括一個連續的P型硅集成電路。該電路的各個元件之間通過一層二氧化硅相互隔離，該二氧化硅層是二氧化硅層的延續，將二氧化硅層與硅N型硅由P型硅層組成。

 

　　第三層的應變儀元件的位置與一層的機械隔膜之間的物理關系是，當高溫壓力傳感器施加壓力時，隔膜中產生的應變使兩個應變儀產生拉力（從而增大他們的阻力）和兩個應變計進入壓縮狀態（從而降低了他們的阻力）。在惠斯通電橋原理圖中，兩個處于張緊狀態的量規彼此相對。類似地，兩個受壓的量規在電橋中彼此相對，因此所施加的應力會導致電阻不平衡，從而使電橋的輸出大化。這種不平衡的大小與所施加應力的大小成正比。這是所有“應變計”高溫壓力傳感器背后的基本工作原理。