標(biāo)稱阻值

 

    用數(shù)字或色標(biāo)在熔斷電阻器上標(biāo)志的設(shè)計(jì)阻值。單位為歐（Ω）、千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）、太歐（TΩ）。阻值按標(biāo)準(zhǔn)化優(yōu)先數(shù)系列制造，系列數(shù)對(duì)應(yīng)于允許偏差。

 

    允許偏差

 

    實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值間允許的最大偏差，以百分比表示。常用的有±5％、±10％、±20％，精密的小于±1％，高精密的可達(dá)0.001％。精度由允許偏差和不可逆阻值變化二者決定。

 

    額定功率

 

    熔斷電阻器在額定溫度（最高環(huán)境溫度）tR下連續(xù)工作所允許耗散的最大功率。對(duì)每種熔斷電阻器同時(shí)還規(guī)定最高工作電壓，即當(dāng)阻值較高時(shí)即使并未達(dá)到額定功率，也不能超過最高工作電壓使用。當(dāng)工作環(huán)境溫度低于tR時(shí)，熔斷電阻器也不能超過其額定功率使用，當(dāng)超過tR時(shí)，必須降低負(fù)荷功率。對(duì)每種熔斷電阻器都有規(guī)定的負(fù)荷特性。此外，在低氣壓下負(fù)荷允許相應(yīng)降低。在脈沖負(fù)荷下，脈沖平均功率遠(yuǎn)低于額定功率，一般另有規(guī)定。

 

    負(fù)荷特性

 

    當(dāng)工作環(huán)境溫度低于tR時(shí)，熔斷電阻器也不能超過其額定功率使用，當(dāng)超過tR時(shí)，必須降低負(fù)荷功率。對(duì)每種熔斷電阻器都有規(guī)定的負(fù)荷特性。此外，在低氣壓下負(fù)荷允許相應(yīng)降低。在脈沖負(fù)荷下，脈沖平均功率遠(yuǎn)低于額定功率，一般另有規(guī)定。

 

    電阻溫度系數(shù)

 

    在規(guī)定的環(huán)境溫度范圍內(nèi)，溫度每改變1℃時(shí)阻值的平均相對(duì)變化，用ppm/℃表示。除了以上幾種參數(shù)外，還有非線性（電流與所加電壓特性偏離線性關(guān)系的程度）、電壓系數(shù)（所加電壓每改變、伏阻值的相對(duì)變化率）、流噪聲（電阻體內(nèi)因電流流動(dòng)所產(chǎn)生的噪聲電勢(shì)的有效值與測(cè)試電壓之比，用電流噪聲指數(shù)來(lái)表示）、高頻特性（由于電阻體內(nèi)在分布電容和分布電感的影響，使阻值隨工作頻率增高而下降的關(guān)系曲線、長(zhǎng)期穩(wěn)定性（熔斷電阻器在長(zhǎng)期使用或貯存過程中受環(huán)境條件的影響阻值發(fā)生不可逆變化的過程）等技術(shù)指標(biāo)。

 

    熔斷電阻器分類

 

    按材料分：

 

    1、線繞熔斷電阻器由電阻線繞成熔斷電阻器用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高，穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時(shí)間常數(shù)大。

 

    2、碳合成熔斷電阻器由碳及合成塑膠壓制成而成。

 

    3、碳膜熔斷電阻器在瓷管上鍍上一層碳而成，將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜熔斷電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的熔斷電阻器。

 

    4、金屬膜熔斷電阻器在瓷管上鍍上一層金屬而成，用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲，溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。

 

    5、金屬氧化膜熔斷電阻器在瓷管上鍍上一層氧化錫而成，在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng)按用途分，有通用、精密、高頻、高壓、高阻、大功率和電阻網(wǎng)絡(luò)等。