品牌：日本NoiseKen
產品名稱：日本NoiseKen半導體器件靜電放電模擬試驗器ESS-6002
產品型號：ESS-6002
產品簡介：考查實際上給電子設備安裝半導體元件時，半導體元件所受到的抗靜電破壞能力的靜電試驗器。
日本NoiseKen半導體器件靜電放電模擬試驗器ESS-6002說明
概要
品牌：日本NoiseKen
產品名稱：日本NoiseKen半導體器件靜電放電模擬試驗器ESS-6002
產品型號：ESS-6002
產品簡介：考查實際上給電子設備安裝半導體元件時，半導體元件所受到的抗靜電破壞能力的靜電試驗器。
規格：
特征:
- 考查實際上給電子設備安裝半導體元件時，半導體元件所受到的抗靜電破壞能力的靜電試驗器。
- 半導體元件因受靜電可能發生內部配線，絕緣膜的熔斷，破壞等而導致產品特性裂化，誤動作的現象。
- 對于此靜電破壞試驗，只需利用1 臺弊司小型ESS-600X 更換探頭就可簡單實行人體帶電型，機器帶電型的試驗。還有，可用選件中的精密型支架可對超細密間- - 距元件做半自動的試驗。
- 用于進行LED,LCD, 光元件等電子部品的靜電破壞耐性試驗。
- 精密型支架
- - 可做zui高輸出電壓±8KV 試驗（ESS-6008）
- - 可做出留有余量的試驗
- - 可對各種間距的受測元件進行靜電施加試驗
- - 可搭配精密測臺，以半自動（Y 軸）的腳位移動而正確的對待
- - 測物施加靜電
- - 可做zui低試驗電壓±10V 的試驗（ESS-6002）
- - 對于低電壓驅動元件的評價可從10V 開始以1V 的步長予施加
- - 可對應規格
對應標準
| 人體模型試驗 (HBM) | 機械模型試驗 (MM) |
| AEC-Q100-002-Rev.D Jul.2003 | AEC-Q100-003-REV-E Jul.2003 |
| ESDA ANSI/EOS/ESD-STM5.1-2001 | ESDA ANSI/ESD STM5.2-1999 |
| IEC 61340-3-1Ed.1.0 2002 | IEC 61340-3-2 Ed.1.0-2002 |
| IEC 60749-26 Ed.1.0 2003 | IEC 60749-27 Ed.1.0 2003 |
| JEDEC JESD22-A114E Jan 2007 | JEDEC JESD22-A115A Oct.1997 |
| JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 Test Method304 | JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 |
| MIL-STD-883G Method 3015.7 Mar.1989 |
規格半導體器件靜電放電模擬試驗器 (ESS-6002/ESS-6008)
項目 | 功能/性能 | |
| ESS-6002 | ESS-6008 | |
| 輸出電壓 | 10～2000V±10％（ESS-6002） 1V步進 | 100～8000V±10％（ESS-6008） 10V步進 |
| 輸出極性 | 正或負 | |
| 重復周期 | 0.3～99s±10％ 到10s為止0.1s步進 10s以后1s步進 | |
| 放電次數 | 1～99次/連續 | |
| Automatic output voltage ramping | Available | |
| 尺寸 | （W）340×(H)×199×（D）300mm（不含突起部分） | |
| 尺寸 | 約6kg | |
簡易型探針臺 <18-00075A>
| 項目 | 功能/性能 |
| 尺寸/重量（探針臺主機） | (W)200×(H)330×(D)290mm/約1.5kg |
| 尺寸/重量（簡易放電板） | (W)100×(H)27×(D)180mm（不含突起部）/約200g |
| 鉗口尺寸 | 110mm |
| 其他 | POM造V型部件1個 標準附件 |
半自動精密型探針臺 <18-00076A>
由于半自動精密型探針臺的zui小分辨率為0.01mm，所以可以簡單地對毫米間距和英寸間距等極小間距的半導體進行試驗
| 項目 | 功能/性能 |
| 尺寸/重量 | (W)250×(H)400×(D)300mm/約7kg |
| 可對應IC | zui大尺寸：40mm角 zui小導線間距：0.4mm |
| X軸 | 手動 移動量：20mm ×燕尾槽、進給螺桿 |
| Y軸 | 電動（zui大速度：13mm/s）移動量：40mm（Y分辨率：0.01mm）*步進馬達&滾珠螺桿 |
| θ軸 | 手動 移動量：360° |
| Z axis | 手動 移動量：20mm *內置彈簧下壓式 |
| 回原點 | 手動 |
