英國OAP QS稱重傳感器【廣州洋奕】;質量認證,企業化的通行證,也是企業管理的起點。
壓力墊也可以作為開關報警探測器的一種傳感器。壓力墊通常放在防范區域的地毯下面,如圖2-4所示。將兩長條形金屬帶平行相對地分別放在地毯背面和地板之間,兩條金屬帶之間有幾個位置使用絕緣材料支撐,使兩條金屬帶互不接觸,此時相當與傳感器開關斷開,當入侵者進入防范區域時,踩踏地毯而使相應部位受力凹陷,兩條金屬帶接觸,此時相當于傳感器開關閉合而發出報警信號。
圖2-4 壓力墊使用示意圖
2.壓力傳感器
壓力傳感器把傳感器上受到的壓力變化轉換為相應的電量變化,經過放大成為電信號。某些晶體材料,當某方向受到外力作用時,其內部就會產生極化現象,在某方向兩個表面上產生正負電荷,當作用力改變時,電荷的大小和極性隨之改變,晶體所產生的電荷量大小和極性隨之改變,晶體所產生的電荷量大小與外力的大小成正比,這種現象稱正壓電效應。反之某些晶體加一交變電場,晶體將產生機械變形,這種現象稱逆壓電效應。圖2-5為壓電效應原理示意圖。
其它型號種類
L6E-C3D-100KG-2B B6F-C3-2t-3B6
L6E-C3D-300KG-2B B6G-C3-100kg-3G6
L6F-C3D-50kg-3G B6G-C3-150kg-3G6
L6F-C3D-500kg-3G B6G-C3-200kg-3G6
BTB-10T HSX-A-40Kg
SB-A-1T HSX-A-50Kg
SB-A-2T HSX-A-75Kg
SB-A-7.5T HSX-A-100Kg
SQB-500KG HSX-A-150Kg
SQB-1T HSX-A-200Kg
SQB-1.5T HSX-A-250Kg
SQB-2.5T HSX-A-300Kg
SQB-3T HSX-A-500Kg
NA2-200Kg NA10-120Kg
NA2-250Kg NA12-0.3Kg
NA2-300Kg NA12-0.5Kg
NA2-350Kg NA12-0.6Kg
NA2-500Kg NA12-0.75Kg
NA3-50Kg NA12-1Kg
L6F-C3-200KG B6G-C3-250kg-3G6
L6F-C3-250KG B6G-C3-300kg-3G6
L6G-C3-50KG B6G-C3-500kg-3G6
L6G-C3-50KG-3G6 B6G-C3-600kg-3G6
英國OAP QS稱重傳感器相關信息
具有壓電效應的晶體材料我們稱之為壓電材料。壓力傳感器就是利用壓電材料的正壓電效應制成。
現在常用的壓電材料是人工合成的。天然的壓電單晶也有,但效率低,利用難度較大,用的較少,只有在高溫或低溫等特殊狀態下,才利用單晶石英晶體。
壓電陶瓷是人工燒結的一種常用多晶壓電材料,壓電陶瓷燒結方便,容易成形,強度高,而且壓/電轉換的系數大,為天然單晶石英晶體的幾十倍,而制造成本只有石英單晶的百分之
一,因此壓電陶瓷廣泛被用做高效壓力傳感器材料。
常用的壓電陶瓷材料有鈦酸鋇、鈮鎂酸鉛,鉛鈦酸鉛等。
壓電陶瓷材料燒結后,初并不具有壓力特性。這種陶瓷材料內部有許多無序排列的“電疇”,這些“電疇”在一定外界溫度下,接受一強化電場的作用,使其按外電場的方向整齊排列,這就是極化過程。極化后的陶瓷材料在撤去外電場后,其內部電疇的排列不變,具有很強的極化排列,這時陶瓷材料才具有壓電性。
壓電陶瓷材料通常做成長方體。當某一方向上的對應兩面受到外力作用時,在壓電陶瓷的這兩面上就會出現電荷堆積,電量的大小與受力的大小成正比。此時壓電陶瓷相當于一個靜電發生器,或是一個以壓電材料為介質的電容器,電容量的大小為
HSX-A-150KG HSX-SS-250Kg
HSX-SS-20KG HSX-SS-300Kg
HSX-SS-50KG HSX-SS-500Kg
HSX-SS-75KG PST-20Kg
HSX-SS-500KG PST-30Kg
L6G-C3-250KG-3B6 B6N-C3-20Kg-1B
L6G-C3-600KG-3B6 B6N-C3-30Kg-1B
B3G-C3-50kg-6B B6N-C3-50Kg-1B
B3G-C3-500kg-6B B6N-C3-75Kg-1B
B3G-C3-1T-6B B6N-C3-100Kg-1B
B3G-C3-1.0t-6B B6N-C3-150Kg-1B
HM9B-C3-25t-12B B6N-C3-200Kg-1B
NA3-750Kg NA19-500Kg
NA3-800Kg NA22-3Kg
NA3-1T NA22-5Kg
NA3-1.2T NA22-6Kg
NA4-60Kg NA22-10Kg
NA4-100Kg NA22-15Kg
HSX-ASS-100KG PST-50Kg
PST-50KG PST-75Kg
而電容兩端的開路電壓U=Q/C,Q為極板上電荷量的大小,與所受外力成正比,一般電量Q很小,因此感應出的U也很小。為了能檢測出U的變化,要求壓電陶瓷本身有相應的阻抗,同時前端放大器也應有*的輸入阻抗,通常探測器的前端放大器用場效應管來擔當。由于輸入阻抗過高,很容易竄入干擾信號,為此前端放大器應直接接在傳感器的輸出端,信號經放大后輸出一個高電平 、低阻抗的探測電信號。
有機壓電材料是新近研究開發出來的新型壓電材料,如聚氯乙烯、聚二氟乙烯等,它具有柔軟、不易破碎的特點。
半導體壓力傳感器是利用硅結晶的壓電電阻效應以及二極管、晶體管的電流、電壓特性制成的元件。當硅半導體材料受到外力作用時,晶體處于扭曲狀態,由于載流子遷移率的變化而導致晶體阻抗變化的現象稱之為壓電電阻效應。用ΔR表示晶體阻抗的變化,它的變化率為: ΔR/R = (Δρ/ρ)•η•ζ=G•ζ
PST-75KG PST-100Kg
PST-100KG PST-150Kg
PST-150KG PST-200Kg
PST-200KG PST-250Kg
PST-700KG PST-300Kg
PST-1000KG PST-500Kg
DEE-100KG PST-700Kg
HM9B-C3-30T-12B3 B8D-C3-250kg-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B3 B8D-C3-0.5t-6B-SC
HM9B-C3-25T-16B-CR1-1C B8D-C3-1t-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B-CR1-1C B8D-C3-2t-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B3-R1-A B8D-C3-5t-6B-SC
hm14c-c3-10t-13b6 B8Q-C3-200kg-3B
hm14c-c3-25t-13b6 B8Q-C3-500kg-3B
hm14c-c3-30t-13b6 B8Q-C3-1000kg-3B
NA4-200Kg NA22-20Kg
NA4-250Kg NA22-30Kg
NA4-300Kg NA22-35Kg
NA4-500Kg NA22-40Kg
NA4-800Kg NA23-3Kg
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