石墨烯生長爐由管式爐+真空系統+供氣系統+水冷系統組成 ，*高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。
HS-1200G管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。
軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。
產品用途：
石墨烯生長爐可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于*、高精模具、硬質涂層、裝飾等領域。
