等離子表面處理設備在半導體中去氧化膜

隨著半導體技術的不斷發展，對工藝技術的要求越來越高，特別是對半導體原片的表面質量要求越來越嚴，其主要原因是圓片表面的顆粒和金屬雜質沾污會嚴重影響期間的質量和成品率，半導體圓片暴露在含氧氣及水的環境下表面會形成孜然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導體制造的許多工藝，還包含了某些金屬雜質，在一定的條件下，他們會轉移到圓片中形成電學缺陷。

 在集成電路工藝中，氧化是*的一項工藝技術，作為“新一代電子的基礎材料”而備受顯示器技術人員關注的就是氧化物半導體TFT。因為氧化物半導體TFT是驅動超高精細液晶面板、OLED面板 以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料候選之一。氧化物半導體是通常容易成為絕緣體的氧化物，但卻具有半導體的性質。氧化物半導體材料是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。它與元素半導體材料相比，結構上多為離子晶體，禁帶寬度一般都較大，遷移率較小，化學性質也比較復雜，可因化學計量比的微小偏差，在晶體中造成施主和受主，而這種化學計量比的偏差對氣氛和溫度是敏感的。

等離子表面處理設備在半導體中去氧化膜雜質的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂，細菌、機械油等。這類污染物通過在圓片表面形成有機物薄膜阻止清洗液到達圓片表面，導致圓片表面清洗機不*，使得金屬雜質等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。 

在半導體生產工藝中，幾乎每道工序中都需要清洗，圓片清洗質量的好壞對器件性能有嚴重的影響。正式由于圓片清洗是半導體制造工藝中重要、頻繁的工藝步驟，而且其工藝質量將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性，所以國內外各大公司、研究機構等清洗工藝的研究一直不斷的進行中。

我們國華電子*半導體去氧化膜/有機物使用等離子表面處理設備來進行清洗，等離子表面處理設備具有工藝簡單。操作方便。沒有廢料處理和環境污染等問題，常用于光刻膠的去除工藝中，在等離子系統中通入少量的氧氣，在強電場作用下，使氧氣產生等離子體，迅速使光刻膠氧化成為可揮發性氣體狀態物質被抽走。等離子清洗技術在工藝中具有操作方便，效率高，表面干凈。無劃傷，有利于確保產品的質量等優點嗎，因此收到越來越多的行業關注。