星際金華原裝供應CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存儲器/P溝道場效應晶體管，量大價優，質量有保證，現貨出售可提供樣品。

深圳市星際金華提供CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存儲器/P溝道場效應晶體管  因市場價格變動幅度較大   實際交易請致電詢問

CAV25M01VE EEPROM存儲器

存儲器類型 非易失

存儲器格式 EEPROM

技術 EEPROM

存儲容量 1Mb （128K x 8）

存儲器接口 SPI

時鐘頻率 10MHz

寫周期時間 - 字，頁 5ms

電壓 - 電源 2.5V ~ 5.5V

工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝 8-SOIC

NVGS3443T1G P溝道場效應晶體管 

FET 類型 P 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 65 毫歐 @ 4.4A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 15nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 565pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（大值） -

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 6-TSOP

封裝/外殼 SOT-23-6