硅片是現代半導體行業*的基礎材料，而在硅片的生產過程中會有許多的污染物質干擾產品的質量，所以半導體器件的生產硅片需要進行嚴格的清洗，通過清洗去除掉表面的污染雜質，包括有機物和無機物等，否則微量元素的污染會導致半導體器件失效。

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。

多晶硅是用金屬硅(工業硅)經化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。

對于消毒系統和清洗系統而言有四種類型：低pH值型、高pH值型、高溫消毒型以及低濃度氧化消毒清洗型。單獨的消毒清洗程序只針對淡水、濃水以及給水管線而言，消毒清洗的循環過程可以獨立完成，獨立的循環程序也可同時進行，從而減少總的使用時間。由于極水循環的低清洗流速，大多數情況下清洗過程必須同時與濃水循環清洗和淡水循環清洗同時進行。清洗水箱及水泵是*的(CIP系統)。總共需要五條清洗流水線：兩個進口(淡水進口和濃水進口)以及三個出口(淡水出口，給水出口和濃水排放)。

工藝流程：

原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統→EDI水箱→拋光混床→用水點

設備特點：

1. 能耗低，水資源利用率高，設備運行成本得到了有效控制。

2. 設備全自動化微電腦控制，當運行過程出現故障時，會及時停止，且具有自動保護功能。

3. 膜組件部分是采用進口材料，表現出更高的溶質分離率和透過速率。

4. 設備整體化程度高，易于擴展，可以增加膜的過濾數量從而增加單位時間內的處理量。

5. 系統整體無易損部件，不會存在大量需要維修的情況，保障設備的*有效運行。

6. 結構搭配合理，減少設備使用的占地面積。

7. 設備可連續生產，卡扣式安裝方式，維修維護快速便捷。

8. 出水水質穩定，設備的實用性設計強，便于日常使用。

9. 不需要處理廢酸廢堿，也不需要酸堿再生，*程度的節約日常運行成本。

執行標準：

GB6682-2000中國國家實驗室用水GB6682-2000

GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法

GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則

GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法

GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法

GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法

JBT 7621-1994 電力半導體器件工藝用高純水

ASTM D5127-2007美國電子和半導體水質標準

GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標準