ZnS硫化鋅晶體
硫化鋅是常用的紅外光學基板也可以做蒸發(fā)源。硫化鋅熒光材料的研究從1868年法國化學家Sidot發(fā)現(xiàn)至今已有130多年的歷史，在20世紀20年代到40年代對硫化鋅材料的研究一直受到人們的關注。
作為一個重要的二，六化合物半導體，硫化鋅納米材料已經引起了*的關注，不僅因為其出色的物理特性，如能帶隙寬，高折射率，高透光率在可見光范圍內，而且其巨大的潛力應用光學，電子和光電子器件。硫化鋅具有優(yōu)良的熒光效應及電致發(fā)光功能，納米硫化鋅更具有*的光電效應，在電學、磁學、光學、力學和催化等領域呈現(xiàn)出許多優(yōu)異的性能，因此納米硫化鋅的研究引起了更多人的重視，尤其是1994年Bhargava報道了經表面鈍化處理的納米ZnS：Mn熒光粉在高溫下不僅有高達18% 的外量子效率，其熒光壽命縮短了5個數(shù)量級，而且發(fā)光性能有了很大的變化，更為ZnS在材料中的應用開辟了一條新途徑
規(guī)格指標：
結構: | Cubic (zincblende) |
密度: | 4.08 g/ cm3 |
努氏硬度: | 210 kg/ mm2 |
楊氏模量: | 10.8 Mpsi |
泊松比: | 0.27 |
熱膨脹系數(shù): | 6.8×10-6/K |
比熱容 | 0.469 J/gK |
導熱性 (at 25 °C): | 0.16 W/cmK |
大透射率 (λ=7-12 μm): | ≥ 71 % |
吸收系數(shù) (λ=10.6 μm): | ≤0.15 cm-1(including 2 surfaces) |
熱光系數(shù)(dn/dT): | 4.7 (λ =10.6 μm) |
折射率 (λ=10.6 μm): | 2.34 |
電光系數(shù) r41 (λ=10.6 μm): | 2×10-12 m/V |
Max. crystal diameter/length: | ?38×30 mm |
ZnS 透射率測試曲線
硫化鋅棒、晶片和基底
直徑/寬度 | 1-38 mm |
厚度/長度 | 0.1-150 mm |
方向 | -110 |
表面質量 | As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830 |
ZnS crystal pieces for vapour deposition.
純度 | 99.995%, 99.999% |
顆粒大小 | 0.01- 10 mm |
- ZnS晶體
