1、美國BUSSMANN熔斷器、西門子熔斷器、法國羅蘭快速熔斷器系列。
2、德國西門康，德國艾賽斯，德國Infineon，日本三社，三菱，富士，美國威士，英國西碼，意大利等等各種IGBT、二極管、整流橋、IPM、可控硅。
當柵極和發射極短接并在集電子施加一個正電壓時，P/N J3結受反向電壓控制，此時，仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。
IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管(如圖1所示)。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態有密切關系。當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現，只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施:防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。
公司經銷的產品有： 巴斯曼(Bussmann),西門子(Siemens)，法國羅蘭(FERRAZ),英飛凌（infineon）,歐派克（EUPEC）,西門康（SEMIKRON）,三菱(MITSUBISHI)，富士(FUJI), 東芝(TOSHIBA),艾賽斯（IXYS）, 西班牙 （CATELEC）三社等公司生產的IGBT，IPM，PIM，GTR，可控硅，快恢復二級管,整流橋,熔斷器,保險絲；進口快速熔斷器 ，各種進口品牌驅動電路；公司成立多年以來一直抱著誠信，互惠的原則，熱忱為廣大新老客戶提供優質的產品和快捷的供貨服務。在同行業中我們以品種全、現貨庫存量大，質量優、信用好而享譽市場。公司秉承“保證質量，保持信譽”的經營理念，堅持“客戶*”的原則為廣大客戶提供優質的服務。公司實力雄厚，重信用、守合同、保證產品質量，以多品種經營特色和薄利多銷的原則，贏得了廣大客戶的信任。 
