ABB可控硅5STP24H2800 5STP33L2800
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晶閘管內部是PNPN四層半導體結構，分別命名為P1、N1、P2、N2四個區。由外的P層和N層引出的兩個電極，分別為陽極A和陰極K,由中間的P2層引出的電極是門極G(也稱控制極)。四個區形成J1、J2、J3三個PN結。因此，晶閘管可以用三個PN結串聯來等效，如圖8-2所示晶閘管的通用名稱為Thyristor,簡寫為VT。
晶閘管是電力電子器件，在工作過程中會因損耗而發熱，因此必須安裝散熱器。對于螺栓型封裝，通常螺栓是其陽極，做成螺栓狀是為了能與散熱器緊密連接且安裝方便，通過陽極(螺栓)擰緊在鋁制散熱器上，為自然冷卻；平板式晶閘管則由兩個相互絕緣的散熱器夾緊晶閘管，靠冷風冷卻。
平板式兩面散熱效果好，額定電流大于200 A的晶閘管都采用平板式結構。此外還可以通過水冷、油冷等冷卻方式進行冷卻。
二、晶閘管的工作原理
通過如圖所示電路做一個簡單的實驗，來說明晶閘管的工作原理。由電源Us、白熾燈、晶閘管的陽極、陰極組成晶閘管主電路。電源Uc、開關S、晶閘管門極和陰極組成控制電路也稱觸發電路。
