介質損耗測試儀AT-C
介電常數介質損耗測試儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的*方法
一、介電常數介質損耗測試儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術：
雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。
自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。
計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低，** Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的創新設計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具
，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質，無須關注量程和換算單位。
一、介電常數介質損耗試驗儀概述
介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
主要技術特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調節范圍 18 ～ 220pF
主電容調節準確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述
BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數和介質損耗系數（損耗角正切值）。
BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產品，它采用了數顯微測量裝置，因而讀數方便，數據精確。
測試裝置由一個LCD數字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器，通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。
BD916介質損耗測試裝置技術特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
電感：
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
