LINSEIS L75V 垂直模式熱膨脹儀系列的開發是為了滿足世界各地學術界和實驗室研究的需求。該系列熱膨脹儀可以測定固體、液體、粉末和膠體的熱膨脹系數。由于垂直系統的“零摩擦”的設計保證了測量結果的準確性，該系統的*的垂直設計適合低或超低膨脹系數材料。該系列熱膨脹儀能夠在真空條件下，氧化性和還原性氣氛中測量。
該系統可以用于單樣品或差示條件下測量以獲得更高的精度或樣品通量。該系列熱膨脹儀的可選機械和電子部件便于拆卸在手套箱中的測量。
新低溫爐配件：溫度可降至10K
LINSEIS L75垂直超低溫操作系統（零摩擦）。該系統提供一個寬泛的溫度范圍（-260°C ——+220°C ），多種樣品支架可選。在真空或程序控制的氧化環境或還原環境中進行測量時，仍能保證高精度和易操作性。
可以測量以下的物理性質：
熱膨脹系數，線性熱膨脹，物理熱膨脹，燒結溫度，相變，軟化點，熱分解溫度，玻璃化轉變溫度。
型號 | DIL L75 垂直 |
溫度范圍 | -263 至 2800°C |
LVDT: |
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Delta L 分辨率 | 0.03 nm |
測量范圍 | +/- 2500 µm |
接觸壓力 | 10 mN 至 1 N |
Optical Encoder: |
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Delta L 分辨率: | 0.1 nm |
測量范圍 | +/- 25000 µm |
樣品長度自動檢測 | 是 |
壓力調節 | 是 |
接觸壓力 | 10 mN 至 5N |
多爐體配置 | 可配置三爐體 |
電加熱爐 | 包含 |
氣體計量裝置 | 手動氣體計量或質量流量控制，1/3或更多氣路 |
接觸壓力調整 | 包含 |
單桿/雙桿熱膨脹 | 可選 |
軟化點檢測 | 包含 |
密度測定 | 包含 |
L-DTA: | 可選 (至 2000°C) |
速率控制燒結（RCS）： | 包含 |
熱分析數據庫 | 包含 |
電恒溫探頭 | 包含 |
低溫附件 | LN2, Intra |
真空密閉設計 | 是 |
真空裝置 | 可選 |
OGS吸氧系統： | 可選 |
所有的LINSEIS熱分析設備都是用計算機控制的，各個軟件模塊僅在Microsoft® Windows® 操作系統上運行。完整的軟件包括3個模塊：溫度控制，數據采集和數據分析。與其他熱分析系統一樣，該用于熱膨脹測量的32位Linseis軟件可以實現所有測量準備、實施和評估的基本功能。經過專家和應用工程師的努力，LINSEIS開發出這款容易操作且實用的軟件。
特點
- 文本編輯
- 斷電保護
- 熱電偶破損保護
- 重復測量可少的輸入參數
- 實時測試評估
- 測量曲線比較：多達32條曲線
- 評估結果保存及導出
- ASCII數據導入與導出
- 數據生成到MS Excel
- 多種方法分析（DSC TG 、TMA、DIL等）
- 縮放功能
- 一階/二階求導
- 氣氛程序控制
- 統計評估
- 自由調節坐標軸
DIL-特點
- 玻璃化和軟化點分析
- 軟化點判定及系統保護
- 顯示相對/收縮或膨脹曲線
- 顯示和計算工程/物理膨脹系數
- 燒結速率控制軟件（RCS）
- 燒結過程分析
- 半自動分析功能
- 多系統校正功能
- 自動歸零
- 軟件自動控制調節樣品壓力
以下是我們提供配件的簡要摘錄：
爐體選擇：
- L75V Cryo -260°C —— +220°C
- L75V 500LT -180°C —— +500°C
- L75V 700LT -180°C —— +700°C
- L75V 1000LT -180°C —— +1000°C
- L75V 1000 RT —— 1000°C
- L75V 1400 RT —— 1400°C
- L75V 1550 RT —— 1600°C
- L75V 1750 RT —— 1750°C
- L75V 2000 RT —— 2000°C
- L75V 2400 RT —— 2400°C
- L75V 2800 RT —— 2800°C
附件：
- 樣品制備設備
- 不同類型的真空渦輪分子泵
- 不同類型（設計/材質）的樣品架
- 通過游標卡尺對試樣長度的在線輸入
- 通過轉臺配置多爐體
- 可選多達4種氣體的混氣箱
- 各種旋轉式和渦輪分子泵
- 可在氫氣環境下運行
材料
聚合物，陶瓷/玻璃/建材，金屬/合金，無機物
工業領域
陶瓷，建材和玻璃工業，汽車/航空/航天，企業研發和學術科研，金屬/合金工業，電子工業
玻璃陶瓷
該熱膨脹儀是用于確定玻璃陶瓷材料熱膨脹系數（CTE）和軟化點的優良方法。除了可以得到膨脹和膨脹系數（CTE），還可以獲得膨脹的一階導數。一階導數為零時可以確定熱膨脹的值和材料的軟化點。
陶瓷/粉末冶金
在高科技陶瓷生產過程中，對燒結過程模擬引起人們的廣泛興趣。當使用可選軟件包——燒結速率控制軟件（RCS）時，根據PALMOUR III理論可以利用膨脹儀進行編程控制燒結。以下是氧化鋯的燒結過程。最終獲得的密度。在達到最終密度時初始加熱速率也隨之降低。
