本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻，HAD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準
SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制，運用了先進的半導體薄層測量技術，無需特別制
樣，可測不規則的金屬薄膜。
技術指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數字）：0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32m
本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻，XRS-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準
SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制，運用了先進的半導體薄層測量技術，無需特別制
樣，可測不規則的金屬薄膜。
技術指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數字）：0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32mm。
試樣厚度：t≤5μm（約）。
探針間距：1.59mm。
成套設備包含：
XRS-KDB-2B 主機 一臺
XRS-KDJ-1A 手動測試架 一臺
XRS-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購件：
微控制器及配套測試系統 一套
