產品詳情
適用范圍：可用于鍍金，金剛砂，銀，銅，鋅,鎳,鉻,錫等電鍍中，也可用于氧化，電解，電泳，電鑄等，以及充電，教學試驗等各種領域。
電鍍脈沖電源選擇
一般高頻脈沖定義為頻率大于5000 Hz，低頻為頻率小于500Hz，中頻則在500～5 000Hz之間。用于電鍍的脈沖電源多屬于中頻類型。當使用頻率較低的脈沖電源時，其改善鍍層質量的效果會稍差。所以，低頻脈沖電源多用于陽極氧化或其他工藝，而較少用于電鍍，尤其是貴金屬電鍍。
當使用頻率較高的脈沖電鍍電源時，脈沖前、后沿極易對導通、關斷時間造成嚴重影響，從而影響脈沖電鍍瞬時高電位有利作用的充分發揮。例如：脈沖鍍金，頻率5000Hz(此時脈沖周期0.2 ms)，占空比20%，則導通時間為40μs，此時，假設脈沖前沿為最小的20μs(實際可能更大)，則其比例至少占到了導通時間的50%；若頻率大于5000Hz，占空比小于20%(脈沖鍍金時占空比很多時候選10%)，則前沿占導通時間的比例會更大，甚至前沿會大于導通時間，如此，脈沖電鍍改善鍍層結晶的作用肯定會受嚴重影響。實際脈沖電鍍貴金屬生產中，頻率多在1000Hz左右。
當使用頻率更高的脈沖電源(上萬或幾萬赫茲)時，其輸出的電流多是如上圖所示的電流波形，實質是一種直流電流，與能夠改善鍍層結晶的方波脈沖電流有本質的區別
特點：
節電：效率≥90%，比硅整流省電達40%左右或比可控硅電源省電達20%左右。
節料：由于它的工作原理與普通電源不一樣，因此在達到相同表面要求的前提下，可節料達15%左右。
節時：由于采用高頻脈沖工作方式，電鍍*是在過電位下的電沉積，因此可節約時間達10%左右，提高工效。
高頻脈沖電源采用N+1方式多個并聯，(硅整流或可控硅電源不可以)，大功率、大電流可任意并用，效率更高。
高頻電源的穩定性：由于采用了現代半導體雙極型器件(IGBT智能模塊)，其可靠性、安全性、穩固性和長時間工作壽命都大大加強和延長，這也是硅整流或可控硅電源的。
高頻脈沖電源：其工作時，脈沖頂部非常之平，*是一條直線，紋波可小到0.5%，關斷時可對被鍍件進行瞬間退鍍整平，因此克服了硅整流或可控硅電源的脈動波紋及被鍍件表面的高低區，不會形成高的地方鍍層厚，低的地方鍍層薄的現象
脈沖參數
Q：周期 Ton：脈沖導通時間
Toff：脈沖關斷時間
f：頻率
Jp： 脈沖電流密度
Jm：平均電流密度
r%：占空比(導通時間與周期之比的百分數)
2.常用計算公式
①占空比：r%=(Ton/Q)×99%=[Ton/(Ton+Toff)]×99%
②平均電流密度：Jm=Jp×r% =Jp×[Ton/(Ton+Toff)]×99%
③頻率：f=1/Q=1/×(Ton+Toff) ④平均電流密度：Jm=Jp×r%
3.脈沖參數的選擇
⑴脈沖導通時間Ton選擇：
脈沖導通時間Ton是由陰極脈動擴散層建立的速率或由金屬離子在陰極表面消耗的速率Jp來確定。如果Jp大，金屬離子在陰極表面消耗得快，那么，脈動擴散層也建立得快，則Ton可短些，反之則取長。但無論Ton取長或短，只要大于tc(電容效應產生的放電常數)即可。
⑵脈沖關斷時間Toff選擇：
脈沖關斷時間Toff是受特定離子遷移率控制的陰極脈動擴散層的消失速率來確定。如果將擴散層向脈動擴散層補充金屬離子使之消失得快，則Toff可取短些，反之則長，但Toff只要大于tcd(電容效應產生的時間常數)即可。
⑶脈沖電流密度Jp的選擇：
脈沖電流密度Jp是脈沖電鍍時金屬離子在陰極表面的沉積速度，它的大小受Ton、Toff、Jm的制約，在選定Ton和Toff，并保持Jm/Jgg≤0.5這個比值，則希望Jp越大越好。
⑷脈沖占空比r%選擇：
脈沖占空比是由Ton和Toff及Q決定的，一般脈沖電鍍貴重金屬時，占空比選取10~50%為，脈沖電鍍普通金屬時，占空比選取25~70%。占空比的真正選擇要在實際試驗后得到結果
主要規格：
| 輸出電壓 | 輸出電流 |
| 0-24V | 10A/20A/30A/50A/100A/200A/300A/500A |
| 0-50V | 10A/20A/30A/50A/100A/200A/300A/500A |
| 0-100V | 10A/20A/30A/50A/100A/200A/300A/500A |
| 0-300V | 10A/20A/30A/50A/100A/200A/300A/500A |
| 0-500V | 10A/20A/30A/50A/100A/200A/300A/500A |
| 輸出電壓可定制（0-3000V）,輸出電流可定制（0.01MA-10000A） | |
