物理特性薄膜表征系統，高度集成且易于使用的測量平臺。

薄膜的物理性質不同于大塊材料，因為由于尺寸較小和高縱橫比使寄生表面效應更強！

• 增強表面散射的影響（a）

• 附加邊界散射（b）

• 超薄層的量子約束（c） 

LINSEIS薄膜物性分析儀是表征各種薄膜樣品優異測量工具。它是一種易于使用的獨立系統，使用正在申請的測量系統設計，可提供高質量的結果。

組件

基本設置包括一個可以輕松沉積樣品的測量芯片，以及提供所需環境條件的測量室。 根據應用，該設置可與鎖定放大器和/或強電磁鐵一起使用。 測量通常在UHV下進行，并且在測量期間使用LN2和強力加熱器將樣品溫度控制在-170°C和280°C之間。

預制測量芯片

該芯片將用于熱導率測量的3 ω技術與用于測量電阻率和霍爾系數的4點Van-der-Pauw技術相結合。 賽貝克系數可以使用位于Van-der-Pauw電極附近的附加電阻溫度計來測量。 為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩模或金屬陰影掩模。 該配置允許幾乎同時表征通過PVD（例如熱蒸發，濺射，MBE），CVD（例如ALD），旋涂，滴鑄或噴墨打印制備的樣品。

該系統的一大優點是在一次測量運行中同時確定各種物理特性。所有測量都采用相同（平面內）方向，并且具有很高的可比性。

基本測量單元 ：

測量室，真空泵，帶加熱器的支架，電子頰側裝置，集成鎖相放大器，3w方法分析軟件，計算機和應用軟件。可測以下物理參數： 

? λ - 熱傳導系數 (穩態法/平面內方向)

? ρ - 電阻率

? σ - 電導率

? S - 賽貝克系數

?  ε – 發射率

? Cp - 比熱容

磁測量單元

可根據需求選擇集成式電磁鐵，可測物理參數如下：

? AH - 霍爾常數

? μ –遷移率

? n -載流子濃度

薄膜材料性能有別于塊體材料之處

-        因小尺寸和高縱橫比所導致的表面效應如：邊界散射和量子限域效應