SWY2855 介電常數和介質損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標準介質樣品組成，能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
SWY2855介電常數和介質損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數變化，通過公式計算得到介電常數。
1 特點：
◎ 本公司**的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 本公司**的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發生1kHz～70MHz（SWY2852D）, 50kHz～160MHz（SWY2853D）測試信號。獨立信號 源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
2 主要技術指標：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
2.2 Q表
| 型號 | SWY2851D | SWY2852D | SWY2853D |
| 工作頻率范圍 | 50kHz～50MHz 四位數顯，壓控振蕩器 | 1kHz～70MHz 四位數顯，數字合成 精度：±50ppm | 50kHz～160MHz 四位數顯，數字合成 精度：±50ppm |
| Q值測量范圍 | 1～1000 三位數顯，±1Q分辨率 | 1～1000 四位數顯，±0.1Q分辨率 | 1～1000 四位數顯，±0.1Q分辨率 |
| 可調電容范圍 | 40～500 pF ΔC±3pF | 40～500 pF ΔC±3pF | 13～230 pF |
| 電容測量誤差 | ±1%±1pF | ±1%±1pF | ±1%±0.5pF |
| Q表殘余電感值 | 約20nH | 約20nH | 約8nH |
2.3 介質損耗裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：
SWY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
SWY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：
0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
SWY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
SWY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：
0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.4 電感器：
按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。
按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質樣品（選購件）：
在現行高頻介質材料檢定系統中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。
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