950-1650nmNIR InGaAs光子探測器，2000個光子的靈敏動態，配備熱電冷卻器
Amplification熱電冷卻InGaAs探測器通過技術可以實現高品質的內部放大，具有高增益（＞105）、快速響應（＜0.4ns上升時間）和極低的過噪聲因子（＜1.05）。該產品采用TO-8封裝，配有熱電冷卻器，環境溫度為25°C時，可以冷卻到-50°C。
近紅外銦鎵砷光子探測器的TEC性能：
TEC是一款三級冷卻器，采用高質量的散裝BiTe材料制造，符合RoHS規范，并通過了Telordia GR-468 認證。符合RoHS規范，并通過了Telcordia GR-468認證。以下是理想條件下的 TEC 性能參數：
近紅外銦鎵砷探測器TEC性能數據不包括TO封裝和散熱器布置，實際使用限制冷卻溫度在-50°C至-55°之間。上圖中所示的InGaAs探測器性能參數是在散熱和無負載條件下獲得的。在TO-8頭部的實際使用中，應仔細考慮設計一個合適的散熱方案。為了獲得的可靠性，建議在非凝結環境下存儲和操作溫度低于85°C。為了盡量減少熱應力，應使用線性/比例溫度控制或類似的方法，而不是開關控制方法。
Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測器是一款近紅外離散放大光子探測器，波長覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測低光信號而設計，近紅外銦鎵砷探測器對NIR模擬檢測器而言具有無二的信號脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測器的靈敏度涵蓋了從單個光子到每脈沖約2000個光子的寬動態范圍，并且其輸出信號與檢測到的光子數成正比。
Amplification近紅外TEC探測器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇：80µm和200µm。
Amplification近紅外探測器的主要特點：
-近紅外光譜響應從950到1650 nm
-快速響應：上升時間< 0.4ns
-高增益：在PDE下，G=~100k
-低噪聲因子：F<1.05
- TEC冷卻到-50oC
這表明熱電冷卻InGaAs探測器可以通過熱電制冷（TEC）技術冷卻到極低的溫度。在低溫下，Amplification近紅外離散放大光子探測器的性能可能會得到提高，因為熱噪聲會減少。Amplification近紅外探測器DAPD TO8的輸出信號相對于噪聲是非常干凈的，可以提高檢測的準確性。
Amplification近紅外銦鎵砷探測器的主要應用：
-激光雷達3D成像
-激光雷達和環境監測
-光譜學和儀器
-量子通信
NIRDAPD TEC近紅外探測器的規格：（工作溫度為 -50°C 時）
| 參數 | DAPD TO8 series | 單位 | |
| 有效區域直徑 | 80 | 200 | μm |
| 頻譜響應范圍（λ） | 950-1650 | nm | |
| 典型增益 (M) | 1x105 | - | |
| 過量噪聲系數 | ＜1.05 | - | |
| 光子檢測效率@1550 納米 (PDE)1 | 10-20 | % | |
| 單電子響應脈沖寬度 (FWHM) | 1.0 | 1.0 | Ns |
| 典型暗計數率 | 10 | 25 | Mcps |
| 工作偏置 | 50-80 | V | |
(1) 近紅外TEC探測器的光子檢測效率包括串擾和后脈沖。
