晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
基礎(chǔ)信息
Si,SiC,GaN,材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT,MOS-FET的
FBSOA（正向偏置安全工作區(qū)）測(cè)試
FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線
ICE電流0~1000A
VCE電壓0~100V。
VGE驅(qū)動(dòng)電壓0~30V
VMNF熱敏電壓≤5V
Pmax功率100KW.
脈寬10us~10ms，
柜式結(jié)構(gòu)，氣動(dòng)安全（支持手動(dòng)式）工裝柜，計(jì)算機(jī)程控
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
FBSOA定義
? 該圖是簡(jiǎn)版FBSOA曲線，劃定了四條電壓-電流關(guān)系的邊界線，分別是AB段，BC段，CD段，DE段。
? AB段規(guī)定了處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)下IGBT的工作電流，這個(gè)電流與IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值相關(guān)，從圖看出，IGBT 門極驅(qū)動(dòng)電壓幅值越高，飽和導(dǎo)通狀態(tài)下的工作電流越大.
? BC段是IGBT可重復(fù)電流ICpuls，是4倍標(biāo)稱電流.
? CD段需結(jié)合IGBT瞬態(tài)熱阻看。IGBT有線性區(qū)和飽和區(qū)。
? 跨AB段后，其IGBT處于線性區(qū)了，也就退出飽和導(dǎo)通區(qū)， IGBT損耗急劇上升。所以，這條邊界體現(xiàn)IGBT能承受耗散功率Ptot。且CE電壓越高，IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外，電流脈寬越大，IGBT所能承受電流幅值也越低。
? 藍(lán)色CD段各種脈沖寬度下的SOA，均是單脈沖安全工作區(qū)，非連續(xù)工作情況下的工作區(qū)，所以，必須參考上一頁(yè)的右下角的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線，由公式（1）計(jì)算出在VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬。
? DE段規(guī)定了IGBT集射極CE擊穿電壓，IGBTCE擊穿電壓是和結(jié)溫正相關(guān)，結(jié)溫越低，CE擊穿電壓也越低。
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
產(chǎn)品特點(diǎn)
u測(cè)試規(guī)范：國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9、IEC60747-2、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T29332、GB/T4023
u測(cè)試工裝有“手動(dòng)式”“氣動(dòng)式”“電子開(kāi)關(guān)式”供選擇，不同封裝外觀，更換“DUT適配器”即可
u高溫測(cè)試，支持室溫~200℃，±1℃@0.5℃
u計(jì)算機(jī)程控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel、PDF。內(nèi)置多種通用文檔模板供用戶選擇，還可自定義
u安全穩(wěn)定（PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖）設(shè)備具有安全工作保護(hù)功能
u智能化，計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯，測(cè)試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳局域網(wǎng)，支持MES系統(tǒng)和掃碼槍連接
u安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全
u電壓源電流源模塊化設(shè)計(jì)，根據(jù)需求，自選搭配
晶體管正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)ST-FBSOA_X
