直流式磁控濺射儀KT-Z1650PVD水冷式濺射源，可實現高功率持續(xù)運行，有電壓 電流反饋,樣品臺旋轉，樣品高度調節(jié)，及電動擋板功能。通過定時調節(jié)預濺射功率及薄膜沉積功率，可對大部分金屬進行均勻物理沉積，真空腔室為透明石英玻璃減少樣品污染，樣品臺可旋轉以獲得更均勻的薄膜，可制備各種金屬薄膜。
電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內，該區(qū)域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長。
直流式磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；
控制方式 | 7寸人機界面 手動 自動模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺 | 可旋轉φ62 （可安裝φ50基底） |
樣品臺轉速 | 8轉/分鐘 |
樣品濺射源調節(jié)距離 | 40-105mm |
真空測量 | 皮拉尼真空計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
預留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口 |
