普賽斯wat半導體參數測試解決方案
PMST系列功率器件靜態參數測試系統是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統，是一款能夠提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試，并具有優秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業專家。
針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態參數測試系統、PMST-MP功率器件靜態參數產線半自動化測試系統、PMST-AP功率器件靜態參數產線全自動化測試系統三款功率器件靜態參數測試系統。
從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋
從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋
從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋
wat半導體參數測試設備特點
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至10kV）
具有大電流測量/輸出能力，電流高達6000A（多模塊并聯）
2、高精度測量
納安級漏電流，μΩ級導通電阻
0.1％精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元
系統預留升級空間，后期可添加或升級測量單元
4、測試效率高
內置專用開關矩陣，根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機自帶器件標準參數測試項目模板，可直接調取使用
支持曲線繪制
自動保存測試數據，并支持EXCEL格式導出
開放的標準SCPI指令集，可與第三方系統集成
6、擴展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺，溫箱等第三方設備聯動使用
測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供
整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。
普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對wat半導體參數測試設備感興趣，歡迎隨時聯系我們
