在開發和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件，需要進行器件級的靜態參數測量，如擊穿電壓、通態電流和電容測量，并不斷優化開關狀態下的電氣性能。就要使用到IV參數曲線測試儀2600-PCT-2B，
IV參數曲線測試儀2600-PCT-2B優勢：
完整的解決方案，
? 可現場升級和重新配置，將PCT轉換成可靠性或晶片分類測試儀
? 可配置功率電平：200V至3kV、1A至100A
? 寬動態范圍：µV至3kV、fA至100A
? 全量程容-電壓 (C-V) 能力：fF至µF
? 支持 2、3和4端器件、高達3kV DC偏移
? 高性能測試夾具支持一系列軟件包類型
? 探頭測試臺接口支持多種常見的探頭類型
特點：
完善的解決方案，價格實惠且性能優異
可現場升級和重新配置，將 PCT 轉換成可靠性或晶片分類測試儀
可配置功率電平：
200V 至 3kV
1A 至 100A
寬動態范圍：
µV 至 3kV
fA 至 100A
全量程容-電壓 (C-V) 能力：
fF 至 µF
支持 2、3 和 4 端器件
高達 3kV DC 偏移
高性能測試夾具支持一系列軟件包類型
探頭測試臺接口支持最常見的探頭類型，包括 HV 同軸三線電纜、SHV 同軸電纜、標準同軸三線電纜等
