特點 | 優勢 |
| 將源測量單元、C-V 單元和超快脈沖 I-V 單元無縫結合的一體化系統 | 快速、清晰和準確地執行 I-V 特性分析、交流阻抗測量、波形捕獲和瞬態 I-V 測量 |
| Clarius™ 基于 GUI 的軟件，支持觸摸或鼠標控制 | 高級測試定義、參數分析、圖形繪制和自動化功能，實現清晰、的測量和分析 |
| 內置上下文相關的測量視頻和 450 多種應用測試 | 快速啟動測試及提供測量幫助和故障排除向導 |
| I-V 源測量單元 (SMU) | ±210 V / 100 mA 或 ±210 V / 1 A 模塊，100 fA 測量分辨率，以及帶可選前放的 0.1 fA 測量分辨率 |
| C-V 多頻率電容單元 (CVU) | 交流阻抗測量（C-V、C-f、C-t），1 kHz – 10 MHz 頻率范圍 |
| I-V/C-V 多通道開關模塊 (CVIV) | 在 I-V 和 C-V 測量之間輕松切換或將 C-V 測量移至任何終端，而無需重新布線或抬起探針 |
| 脈沖式 I-V 超快脈沖測量單元 (PMU) | 兩個獨立或同步的高速脈沖式 I-V 源和測量通道；200 MSa/s，5 ns 采樣率；利用可選的前放將電流靈敏度擴大到幾十皮安 |
| 高電壓脈沖發生器單元 (PGU) | 兩通道高速脈沖電壓源；±40 V (80 V p-p)，±800 mA |
| 可定制和升級 | 現在或以后均可根據需要隨時添加模塊 |
參數查看，快速清晰。
大膽發現從未如此容易。 4200A-SCS 參數分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業知識（業界）可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。
特點
- 內置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語
- 使用數百個用戶可修改應用測試開始您的測試
- 自動實時參數提取、數據繪圖、算數函數
測量、 切換、 重復。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設置，并在出現意想不到的結果時輕松排除故障。
特點
- 無需重新布線即可將 C-V 測量移動到任何設備終端
- 用戶可配置低電流功能
- 個性化輸出通道名稱
- 查看實時測試狀態
檢定、 自定義、 。
簡單地說，4200A-SCS 可以自定義且全面升級，您可以對半導體設備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學或幾乎任何類型的樣本執行電氣檢定和評估。
特點
- NBTI/PBTI 測試
- 隨機電報噪聲
- 非易失內存設備
- 穩壓器應用測試
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
4200A-SCS 參數分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
特點
- “點擊”測試定序
- “手動”探測器模式測試探測器功能
- 假探測器模式無需移除命令即可實現調試
降低成本并保護您的投資
吉時利保障計劃以按需服務事件的一小部分成本提供快速、高質量的服務。 只需點擊一下或一個電話即可獲得維修服務，在此過程中，無需報價或填寫采購單，也不會有審批延誤。
了解詳情
| 產品技術資料 | 型號 | 說明 | 價格 |
|---|---|---|---|
| 查看規格書 | 4200A-SCS-PK1 高分辨率 IV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率 對于兩端和三端設備，MOSFET、CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK1 包括：
| 索取報價 |
| 查看規格書 | 4200A-SCS-PK2 高分辨率 IV 和 CV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于高 K 電解質，深亞微米 CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK2 包括：
| 索取報價 |
| 查看規格書 | 4200A-SCS-PK3 高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 | 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于功率設備、高 K 電解質，深亞微米 CMOS 設備檢定套件 4200A-SCS-PK3 包括：
| 索取報價 |
| 查看規格書 | 4200-BTI-A 超快 NBTI/PBTI 套件 | 用于使用 CMOS 技術套件進行復雜的 NBTI 和 PBTI 測量 4200-BTI-A 包括：
| 索取報價 |
半導體可靠性
在執行復雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復雜的編碼工作。 內含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設備分析。
評估 MOSFET 設備的熱載波感應劣化
特點
- 只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求
- 支持多種探頭站和外部儀器
- 循環系統易于使用，允許在無需編碼的情況下重復測試
提供適合高阻抗應用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術分析高電阻樣本的電容。 該技術可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現應用，同時可與 4210-CVU 結合使用，執行更高頻率測量。
4200A-SCS 參數分析儀可在高阻抗設備上執行極低頻電容-電壓測量
簡化 MOSFET/MOSCAP 設備檢定的提示和技術
特點
- .01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度
- 3½ 位典型分辨率，最小典型值 10 fF
非易失內存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態和 I-V 域檢定。
非易失內存技術脈沖 I-V 檢定
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機器連接即可生成 LIV（光強-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關支持使您能夠使用相同的儀器對單個二極管或整個陣列進行晶圓生產測試。 SMU 可配置為高達 21 W 容量，適用于多種連續波 (CW) VCSEL 應用。
納米級設備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發方面的測量要求。 從預配置測試項目開始著手，逐步擴大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數秒內即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
碳納米管晶體管 (CNT FET) 的電氣檢定
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內含測試可自動重復執行范德堡計算，節省您寶貴的研究時間。10aA 的電流分辨率和大于 1016 歐姆的輸入阻抗可提供更準確和精準的結果。
4200A-SCS 參數分析儀和四點同軸探頭可用于執行半導體材料電阻率測量
4200A-SCS 參數分析儀可用于執行范德堡和霍爾電壓測量
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執行全面的 MOS 設備檢定。 內含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。 只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運行所有這些測試。
4200A-SCS 參數分析儀可用于執行 MOS 電容 C?V 檢定
| 產品技術資料 | 模塊 | 說明 | 配置和報價 |
|---|---|---|---|
| 查看規格書 | 4200-BTI-A | 超快速 BTI 包 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4200-PA | 遠程預放大器模塊 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4200-SMU | 中功率源測量單位 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4200A-CVIV | I-V/C-V 多開關模塊 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4210-CVU | 電容-電壓單位 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4210-SMU | 大功率源測量單元 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4220-PGU | 高電壓脈沖發生器單元 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4225-PMU | 超快速脈沖測量單位 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4225-RPM | 遠程預放大器/開關模塊 | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4200-SMU-R | 可現場更換的 MPSMU | 配置與報價 |
| 查看規格書 | 4210-SMU-R | 可現場更換的 HPSMU | 配置與報價 |
