主要特點
A:測量多種IGBT、MOS管 B:脈沖電流1200A
C:脈沖寬度 50uS~300uS D:Vce測量精度2mV
E:Vce測量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護被測量器件 H:上位機攜帶數據庫功能
I:MOS IGBT內部二極管壓降
一 概述
該綜合測試儀能夠通過電腦操作完成大功率MOS的IGESR、IGESF、Vcesat、Vdsat、Vgth、Vces、Ices、Rds(on)性能測試,整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,方便操作使用。
二應用范圍
A:MOS
B:其他測試應用
三測試參數
類型 | 電壓范圍 | 電流范圍 | 分辨率 |
Vds | 0V~10V | 0~100A | 1mV |
Vdsat | 0V~10V | 0~100A | 1mV |
IGSSR | 0V~-20V | 0~-2uA | 1nA |
IGSSF | 0V~+20V | 0~2uA | 1nA |
Vgth | 0~10V | Ic=900mAVce=5V | 1mV |
BVdss | 0~1200V | 0~2mA | 1V |
RD(on) | 0~10V | 0~100A | 0.01Ω |
四 測試其他指標
類型 | 數值 | 單位 |
恒流輸出Constant current output | 0~100 | A |
恒流脈沖寬度Current Pulse Width | 50至300 | uS |
工作頻率 Trigger Pulse | 0.1~10 | Hz |
電源輸入電壓Power Requirement | 220 | VAC |