KVG晶振,V-9700M晶振,有源貼片晶振
壓控晶振（VCXO）是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。
KVG晶振集團(tuán)成立于1946年。距離第二次世界大戰(zhàn)后不久，KVG公司由物理學(xué)家庫(kù)爾特·克林林創(chuàng)立。專注于頻率控制產(chǎn)品，包括石英晶體振蕩器，有源晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振，VCXO壓控晶振，OCXO恒溫晶振，濾波器和振蕩器，無論是技術(shù)，工藝，生產(chǎn)流程，性能都是當(dāng)今的。
1996年，KVG由美國(guó)多佛公司接管，作為石英晶振和晶體振蕩器的歐洲合作伙伴。1997年，石英陶瓷晶振被收購(gòu)在斯托克多夫，這是世界著名的OCXO恒溫晶振和高精密石英晶振。
KVG晶振量產(chǎn)的有源晶振應(yīng)用范圍非常廣泛，如電信網(wǎng)絡(luò),ATM,SDH,SONET,移動(dòng)系統(tǒng),如GSM,CDMA,WCDMA,3G和UMTS以及電子計(jì)量.所有這些領(lǐng)域都需要高精度,可靠性和長(zhǎng)使用壽命,以確保高系統(tǒng)可用性.石英晶體諧振器的有源元件是一個(gè)機(jī)械振動(dòng)板（“晶體元件”）,由單晶石英切割而成,具有與晶軸的精確定向.晶體諧振器在高真空下用鋁,銀或金電極電鍍,并用冷焊或電阻焊接工藝氣密密封到合適的外殼中.元件的物理尺寸及其與軸的方向?qū)⑻貏e決定共振頻率,其初始精度,電性能和溫度系數(shù).
KVG貼片晶振技術(shù)有限公司推出全新的密封SMDOCXO,具有完整的Stratum3性能,甚至更好.例如,在最壞情況下,24小時(shí)內(nèi)的總穩(wěn)定性保證為±0.16ppm.
KVG的工程師使用非常小但高度精確的SC切割石英,開發(fā)出新的高穩(wěn)定性OCXO,可顯著擴(kuò)展?jié)撛诘膽?yīng)用范圍.產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊網(wǎng)絡(luò)，例如：ATM, SDH, SONET; 移動(dòng)通訊系統(tǒng),例如：GSM, CDMA, WCDMA, 3G and UMTS和電子測(cè)量技術(shù).這些設(shè)備都需要高準(zhǔn)確性,可靠性和較長(zhǎng)的使用壽命,以確保系統(tǒng)的高適用性.
| Type: | PLL multiplier SMD VCXO with LVPECL/LVDS outputs and E/D (tri-state) function | |
| Frequency Range: | 100 MHz . 700 MHz | |
| Standard Frequencies: | 125, 200, 400, 622.080, 625 MHz | |
| Overall stability (1): | ||
| ± 70 ppm: | V-9770M | |
| + 50 ppm: | V-9750M | |
| + 25 ppm (n.a. for –40 to +85°C): | V-9725M | |
| Temp. Range Options | ||
| -10 °C to +60°C: | B | |
| -20°C to +70°C: | C | |
| -40°C to +85°C: | E | |
| Power supply voltage VB: | +3.3 V + 10% | |
| Ouput option: | P | L |
| Output voltage: | LVPECL | LVDS |
| level: | H > 2.275 V, L < 1.68 V | 250 mV < VOD < 450 mV |
| load : | 50 Ohm | 100 Ohm sym. |
| duty cycle : | 45 / 55% | 45 / 55 % |
| rise time, fall time 20% / 80%: | < 1.0 nsec | |
| Power supply current | ||
| f < 160 MHz: | < 75 mA | < 65 mA |
| f < 700 MHz: | < 100 mA | < 80 mA |
| Control voltage range VC: | +0.3 V to +3.0 V | |
| Control voltage input impedance: | > 50 kOhm | |
| Pulling range referred to fC at VC = +1.65 V: | > ± 100 ppm | |
| E/D (Tri-State) function | ||
| Control input Pin 2 Logic HIGH or N.C: | Ouput Enable | |
| Control input Pin 2 Logic lOW: | Output Disable | |
| Start-up time: | < 3 ms | |
| RMS Phase Jitter (12 kHz – 20 MHz): | < 1 ps rms | |
| Storage Temperature Range:: | -55 °C ~ +125 °C | |
KVG晶振,V-9700M晶振,有源貼片晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
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KVG晶振環(huán)保基本理念：
1.作為良好的企業(yè)市民，遵循本公司的行動(dòng)方針，充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護(hù)自然環(huán)境，充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù)，維持和保全生物多樣性。
3.有效利用資源和能源，認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性，努力進(jìn)行有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn)，致力于減少?gòu)U棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán)，努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)。
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù)，充分發(fā)揮綜合實(shí)力，推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù)，為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng)，充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng)，設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo)，定期修正，不斷改善，努力預(yù)防環(huán)境污染。
