富士晶振,SMD有源振蕩器,FSX-1M晶振，富士晶振公司股份有限公司成立于1994年1月,原工作中水晶設(shè)備企業(yè)的營(yíng)業(yè)將移交到富士com。主要以石英晶振，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開(kāi)發(fā)，在于2013年開(kāi)始處理,軟件的開(kāi)發(fā),今后在有線、無(wú)線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。今后更能迅速滿足市場(chǎng)的需求。目前針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。
本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型石英晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性。
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | FSX-1M晶振規(guī)格說(shuō)明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 13.56MHz to50 MHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.80 V to 5.0 V | 請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料 / |
| H: -40℃ to +85℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±25 × 10-6 |
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| L: ±50 × 10-6 | |||
| T: ±100 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 90 mA Max. | 無(wú)負(fù)載條件、工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
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| VOL | 0.4 V Max. |
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| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
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| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時(shí)間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
石英晶振各項(xiàng)注意事項(xiàng)：
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)石英晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至，并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用SMD晶振產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
富士晶振公司環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策
1.通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。
2.通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。
3.遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)，同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng)，并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。
4.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人，通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi)。
5.富士晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
6.致力于環(huán)境保護(hù)，包括預(yù)防污染。在SMD晶振產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中，努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動(dòng)中，努力節(jié)約資源并節(jié)省能源，致力于減少?gòu)U棄物和再生資源的回收利用。
