光耦電性能分析測試系統特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；
模塊化設計：內部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據測試需求可定制夾具；
系統參數
項目 | 參數 | |
集電極-發射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) |
最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | |
準確度 | ±0.1% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15μs | |
大電流脈寬 | 50μs~500μs | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發射極 | 蕞大電壓 | 300V |
蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
準確度 | ±0.05% | |
最小電壓分辨率 | 30μV | |
最小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | ±0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ |
準確度 | ±2℃ | |
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。
普賽斯PMST系列光耦電性能分析測試系統，主要包括測試主機、測試夾具、工控機、上位機軟件等構成。整套系統采用普賽斯自主開發的測試主機，內置多種規格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿足不同測試需求。測試數據可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統標配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數及曲線測試，頻率默認1MHz，可擴展至10MHz
