美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計測量原理
原理
導波雷達發出的高頻微波脈沖沿著探測組件(鋼纜或鋼棒)傳播,遇到被測介質,由于介電常數突變,引起反射,一部分脈沖能量被反射回來。發射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質,當上面一層的介質介電常數較小,而下面的介質介電常數較大時,高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時,由于其介電常數較小,因而有極少的能量被這一層介面反射,而大部分能量穿透上層介質繼續向下傳播,遇到兩層的介面時,由于下層介質的介電常數較大,因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面,其測量條件是上層介質不導電或其介電常數比下層介質介電常數小10以上。
美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術,導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式,使得GDGW5X系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如:高溫、高壓及小介電常數介質等。
采用脈沖工作方式,導波雷達物位計發射功率極低,可安裝于各種金屬、非金屬容器內,對人體及環境均無傷害。
美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計 簡單介紹: | |
型 號: | GDGW52 |
應 用: | 強腐蝕性液體介質。 |
zui大量程: | 6m |
測量精度: | ±10mm |
過程連接: | PTFE法蘭 |
探測組件材料: | PTFE |
鋼棒直徑: | Φ10mm |
過程溫度: | -40…150°C |
過程壓力: | -1.0…16bar |
信號輸出: | 兩線制 4…20mA/HART |
美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計
詳細介紹:
美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計 GDGW52 | |
許可證 | P 標準型(非防爆) |
I 本安型(Exia IIC T6) | |
C 本安型+船用許可證(Exia IIC T6) | |
G 本安型+隔爆型(Exd [ia]ia IIC T6) | |
探測組件型式/材料 | A 棒式/PTFE |
過程連接/材料 | GP 法蘭 DN50 PN1.6 不銹鋼316L(GB/T9119-2000) |
NP 法蘭 DN80 PN1.6 不銹鋼316L(GB/T9119-2000) | |
EP 法蘭 DN100 PN1.6 不銹鋼316L(GB/T9119-2000) | |
FP 法蘭 DN150 PN1.6 不銹鋼316L(GB/T9119-2000) | |
YP 特殊制定 | |
過程溫度 | A (-40~150)℃ |
電子組件 | B (4~20)mA/HART兩線制 |
C (4~20)mA/(22.8~26.4)V DC /HART兩線/四線制 | |
D (198~242)V AC/HART四線制 | |
外殼/防護等級(注) | A 鋁/IP67 |
B 塑料/IP66 | |
D 鋁兩腔/IP67 | |
G 不銹鋼316L/IP67 | |
電纜進線 | M M20x1.5 |
N , ½NPT | |
現場顯示/編程 | A 帶 |
X 不帶 | |
纜(棒)長 | 4位數字(單位:mm) |
注: 本安型(Exia IIC T6)只限用“B”電子組件及“A”型外殼;本安+船用許可證(Exia IIC T6) 只限用“B”電子組件及“G”型外殼;本安+隔爆型(Exd [ia]ia IIC T6)只限用“C”“D” 電子組件及“D”型外殼; 標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸,厚度為15. |
其它虹潤儀表物位儀表 1.虹潤儀表HR-LC26000纜式物位關開
2.虹潤儀表HR-LC6000高溫型物位開關
3.虹潤儀表HR-LC6000射頻導納物位開關
4.虹潤儀表SF300音叉物位開關
5.物位計丨美國斯盧森GDGW52導波型雷達物位計丨料位計
6.美國斯盧森GDRD53脈沖型雷達物位計丨料位計