BDD-I半導電層電阻試驗裝置
BDD-I半導電層電阻試驗裝置詳細介紹如下:
BDD-I半導電層電阻試驗裝置適用范圍：
BDD型半導電層電阻測試成套裝置適用于GB/T11017.1-2002，附錄B、GB/T12706.2-2002和GB/T3048.3-2007《電線電纜電性能試驗方法第三部分 半導電橡塑材料體積電阻率試驗方法》標準。能對3.5萬伏、11萬伏、22萬伏等各種高壓交聯電纜的導體半導電屏蔽層和絕緣半導電屏蔽層的電阻進行測量，從而得出半導電屏蔽層電阻率。增加相應附件，能完成GB3048.3《電線電纜電性能試驗方法·第3部分·半導電橡塑材料體積電阻率試驗》標準中半導電材料的電阻率的測試。
BDD-I半導電層電阻試驗裝置的組成和主要參數：
為能準確的完成GB110717—2002附錄A和GB/T3048—2007標準中提出的試驗步驟。本成套裝置由三臺設施組成。
2.1 BDD型半導電層試樣制備機：為取得半圓型交聯電纜試樣而設計，根據試樣外徑大小分為二個型號
| 試樣線芯直徑mm | 試樣外徑范圍mm | |
| BDD—I型電纜試樣制備機 | Ф6—Ф30 | Ф15—Ф55 |
| BDD—II型電纜試樣制備機 | Ф8—Ф40 | Ф18—Ф130 |
2.2 BDD型半導電層電阻測試儀，為測試導體屏蔽層和絕緣屏蔽層電阻而設計：
·測試功率： 不超過100MW
·電源對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·電壓表輸入端對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·zui大測量電阻： 2×1MΩ
2.3 BDD型半導電層測試恒溫烘箱，為試樣在90℃恒溫條件下測試電阻而設計：
·有效容積： 450×450×450mm
·一次zui多試樣個數： 4個
·恒溫溫度： 90±1℃
2.4 用戶如果須完成GB3048.3即半導電橡塑材料體積電阻率試驗，須另行訂購半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀，結合BDD型半導電層電阻測試儀，即可完成該項目的試驗。
BDD-I半導電層電阻試驗裝置
BDD-I半導電層電阻試驗裝置
詳細介紹如下:
適用范圍：
BDD型半導電層電阻測試成套裝置適用于GB/T11017.1-2002，附錄B、GB/T12706.2-2002和GB/T3048.3-2007《電線電纜電性能試驗方法第三部分 半導電橡塑材料體積電阻率試驗方法》標準。能對3.5萬伏、11萬伏、22萬伏等各種高壓交聯電纜的導體半導電屏蔽層和絕緣半導電屏蔽層的電阻進行測量，從而得出半導電屏蔽層電阻率。增加相應附件，能完成GB3048.3《電線電纜電性能試驗方法·第3部分·半導電橡塑材料體積電阻率試驗》標準中半導電材料的電阻率的測試。
的組成和主要參數：
為能準確的完成GB110717—2002附錄A和GB/T3048—2007標準中提出的試驗步驟。本成套裝置由三臺設施組成。
2.1 BDD型半導電層試樣制備機：為取得半圓型交聯電纜試樣而設計，根據試樣外徑大小分為二個型號
| 試樣線芯直徑mm | 試樣外徑范圍mm | |
| BDD—I型電纜試樣制備機 | Ф6—Ф30 | Ф15—Ф55 |
| BDD—II型電纜試樣制備機 | Ф8—Ф40 | Ф18—Ф130 |
2.2 BDD型半導電層電阻測試儀，為測試導體屏蔽層和絕緣屏蔽層電阻而設計：
·測試功率： 不超過100MW
·電源對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·電壓表輸入端對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·zui大測量電阻： 2×1MΩ
2.3 BDD型半導電層測試恒溫烘箱，為試樣在90℃恒溫條件下測試電阻而設計：
·有效容積： 450×450×450mm
·一次zui多試樣個數： 4個
·恒溫溫度： 90±1℃
2.4 用戶如果須完成GB3048.3即半導電橡塑材料體積電阻率試驗，須另行訂購半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀，結合BDD型半導電層電阻測試儀，即可完成該項目的試驗。
