特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 寬頻段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探測區域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感區域為11.0mm2,可探測非常弱的輻射)
4. 10mW/cm2峰值輻射照度產生約2600nA電流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS約140nA)
5. 芯片高度穩定性(通過德國PTB認證)
關于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受輻射硬度,近乎*的可見盲區,低暗電流,高速響應和低噪音的*屬性;這些功能使SiC成為可見盲區紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以*工作在高達170℃的溫度中,信號(響應率)的溫度系數也很低,<0.1%/K。由于(fA級別的暗電流)噪音低,很低的紫外線輻射強度也可以可靠地測量,(需要適當的放大器)。
SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測設備或帶有光學濾波器,提供對UVA、UVB、UVC波段的響應。