【儀表儀表網 儀表上游】5月24日，國家電網公司科技部在北京組織召開了國家電網公司科技項目“高壓IGBT芯片表面鈍化工藝研究”項目驗收會。國家電網公司科技部、驗收專家、項目研究團隊等20余人參加了會議。
高壓功率半導體器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的表面鈍化工藝是其芯片加工工藝的重要環節，其鈍化層的質量直接影響IGBT器件的性能參數和長期可靠性。
“高壓IGBT芯片表面鈍化工藝研究”項目由能源互聯網研究院有限公司牽頭，項目組在深入研究鈍化機理的基礎上研究了一款適于項目目標的聚酰亞胺材料，提出了高壓功率芯片的表面鈍化工藝方案，優化了聚酰亞胺前清洗、涂覆、光刻、刻蝕及固化關鍵工藝菜單，完成了厚度大于20微米的聚酰亞胺膜層制備工藝研究與加工。
能源互聯網研究院有限公司前身為國網智能電網研究院，2016年2月更名為能源互聯網研究院，2017年10月改制為能源互聯網研究院有限公司，聯研院是國家電網公司直屬科研單位，國內專業從事能源互聯網關鍵技術和設備開發的研發機構。
本項目共歷時3年，聯研院通過方案制定，試驗設計，工藝加工，樣品試制和測試評估，全面掌握了高壓IGBT芯片表面的鈍化工藝，完成了整個鈍化工藝的研究與開發。
與會專家聽取了項目組的研究工作匯報，認真審閱了工作報告、技術報告、檢測報告、決算報告、審計報告等項目資料，經質詢與討論，一致認為項目組完成了課題任務書和合同規定的全部研究內容，提交資料齊全、規范，同意項目通過驗收.
目前研究成果已經應用到聯研院的高壓IGBT和FRD樣品之上，試制的3300V/50AIGBT和3300V/100AFRD芯片通過了1000小時的可靠性考核，為直流斷路器等電力裝備的全面國產化奠定了基礎。
(資料來源：國家電網公司、中國知網、能源互聯網研究院)
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