注：GaN（氮化鎵，Gallium nitride）是Ga（鎵）和N（氮）的化合物。
使用GaN材料的功率半導體與Si（硅）半導體相比較，可以在高溫下動作，絕緣破壞電場強度高；而與使用SiC材料的功率半導體相比，能夠高速開關，具有飽和電子移動度高等性能方面的優(yōu)勢。作為功率半導體，其應用前景很值得期待。
Main Feature
主要特點
1率化
使用低損失的GaN功率半導體，即使高頻驅動，也能降低驅動器部和電機部的損失，提高輸入輸出效率。
2伺服系統的小型化
采用高放熱結構，使驅動器部小型化，實現內置于伺服電機的結構。增加外部軸也不需要增加驅動器。
另外，在多軸伺服系統中，控制柜內的數臺伺服驅動器部只需一臺逆變器，能夠實現控制柜的小型化。
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