當前位置：北京多晶電子科技有限公司>>半導體-分立器件>>ON(安森美)>>N64S830HA 閃存存儲器

N64S830HA 閃存存儲器

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品牌

廠商性質其他

所在地北京市

在線詢價收藏產品

聯系方式：查看聯系方式

更新時間：2025-01-18 09:37:50瀏覽次數：157次

聯系我時，請告知來自儀表網

產品分類 品牌分類

  半導體-分立器件

AVX

muRata

Vishay(威世)

ON(安森美)

Sensirion

Fairchild

全部產品列表

暫無信息

北京多晶電子科技有限公司

經營模式：其他

商鋪產品：2027條

所在地區：北京北京市

詢價 給他留言

產品簡介

N64S830HA 閃存存儲器更新：2016-4-27 15:19:44點擊：產品品牌ON產品型號N64S830HA產品描述靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發模式（全陣列）...PDF下載詢價申請樣品

詳細介紹

產品介紹

描述

安森美半導體串行SRAM系列包括多款集成的內存設備，包括這個64K的串行方式訪問靜態隨機存取存儲器，由8位內部組織為8千字。該設備的設計，并使用的CMOS技術，以提供高速的性能和低功耗制造。該器件在單芯片選擇（CS）輸入，并使用一個簡單的串行外設接口（SPI）串行總線。在一個單一的數據和數據輸出線用于沿與時鐘的裝置內的訪問數據。該N64S830HA設備包括一個HOLD引腳，允許通信設備被暫停。暫停時，輸入轉換將被忽略。該設備可以為-40℃的寬的溫度范圍內工作，以+ 85℃，可以在幾個標準包裝產品提供。

特性

2.7至3.6 V電源電壓范圍

極低的待機電流 - 低至1微安

極低的工作電流 - 低至3毫安

靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發模式（全陣列）

簡單的內存控制：單芯片選擇（CS），串行輸入（SI）和串行輸出（SO）

自定時寫周期

內建寫保護（CS高）

HOLD引腳用于暫停通信

高可靠性 - 無限寫入周期

符合RoHS封裝 - 綠色SOIC和TSSOP

關鍵詞：標準