GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前國內高的160MHz。
介電常數測試儀 介質損耗測試儀
介電常數介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的*方法
一、介電常數介質損耗試驗儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前國內高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術：
雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。
主要技術特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調節范圍 18 ～ 220pF
主電容調節準確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻 率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
一 . 概述
BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數和介質損耗系數（損耗角正切值）。
BD916介質損耗測試裝置技術特性
平板電容器： 1.極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 極片間距可調范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 4．測微桿分辨率：0.001mm
電感：
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
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