產品名稱：介質耗損因數試驗儀

產品型號：GDAT-A

顯示方式：液晶顯示

產品用途：絕緣材料介質耗損因數的測試

介質耗損因數試驗儀 技術特性：

1.Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔 2.固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
3.工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
4.電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH  
5.電容直接測量范圍  1 ～ 200pF  
6.主電容調節范圍  18 ～ 220pF  
7.主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
8.信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
9.頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
10.頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

11.搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用。

介質耗損因數試驗儀產品概述：

1.介質耗損因數試驗儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε)，可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。

2.介質耗損因數試驗儀以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至低，并保留了原Q表中自動穩幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。

3.介質耗損因數試驗儀能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。

4.介質耗損因數試驗儀用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

介質耗損因數試驗儀滿足標準：

GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的*方法。

介質耗損因數試驗儀特點：

1.雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。 
2.雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。 
3.雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。 
4.自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。 
5.全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 
6.DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。 
7.計算機自動修正技術和測試回路優化 —使測試回路 殘余電感減至低，** Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。 
8.gdat高頻Q表的創新設計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質，無須關注量程和換算單位。 

BD916介質損耗測試裝置技術特性 

1.平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
              極片間距可調范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測微桿分辨率：0.001mm
 
電感：
 
線圈號     測試頻率      Q值     分布電容p      電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH