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國(guó)產(chǎn) |
加工定制 |
是 |
BX-Y1245D-1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。
關(guān)鍵詞：
四探針測(cè)試儀 四探針法測(cè)電阻率儀 四探針電阻率儀 四探針電阻率 四探針電阻率測(cè)試 電阻率測(cè)試儀
產(chǎn)品用途：
BX-Y1245D-1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器特點(diǎn)：
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求，軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜，及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析。
技術(shù)參數(shù)：
1.方塊電阻范圍 | 10^-5～2×10^5Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10^-6～2×10^6Ω-cm |
3.測(cè)試電流范圍 | 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA |
4.電流精度 | ±0.1%讀數(shù) |
5.電阻精度 | ≤0.3% |
PC軟件界面 | 顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
7.測(cè)試方式 | 雙電測(cè)量 |
8.四探針儀工作電源 | AC 220V±10%.50Hz <30W |
9.誤差 | ≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 |
10.溫度(選購) | 常溫 --200；400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ |
11.氣氛保護(hù)（氣體客戶自備） | 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子 |
12.溫度精度 | 沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C |
13.升溫速度： | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 |
14.高溫材料 | 采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征 |
15.PC軟件 | 測(cè)試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！ |
16.電極（探針）材料標(biāo)配 | 鎢電極或鉬電極+電極（探針）陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺(tái)，1套. |
17.探針間距 | 直線型探針，探針間距：4mm； |
18.樣品要求 | 樣品長(zhǎng)度要求≥13mm 樣品寬≥2mm或直徑≥13mm |
19.高溫電源： | 供電：400-1200℃ 電源220V，功率2-4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率4-6KW： |
20.標(biāo)配外（選購）： | a電腦和打印機(jī)1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)； c.S型鉑銠探針電極（溫度范圍：200-1300度）； d.B型鉑銠探針電極（溫度范圍：1400-1600度）
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儀表網(wǎng)