四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀   型號(hào)：DP-SB100A/3型

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于校物理教育實(shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-5—106Ω。
 
DP-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由DP-SB118/1型電壓電流源以及DP-SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。
l            DP-SB118型直流電壓電流源 （詳見該產(chǎn)品使用說明書）
直流電流源
a）       電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
b）       量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c）       電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a）       電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
b）       量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
c）       電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表（4½LED）利用電壓源部分“取樣”端可對(duì)被測電壓行測試
a）       測量量程   20mV，200mV，2V，20V，200V
b）       Z分辨力  可達(dá)1µV
c）       基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   （20±2ºC）
l            DP-SB120/2四探針樣品平臺(tái)（詳見該產(chǎn)品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。
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