上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
功率半導體器件從雙極型器件（BPT、SCR、GTO）發展為MOS型器件（功率MOSFET、IGBT、IGCT等），使電力電子系統有可能實現高頻化，并大幅度降低導通損耗，電路也更為簡單。
自上世紀80年代開始，高頻化和軟開關技術的開發研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年電力電子界研究的熱點之一。
上世紀90年代中期，集成電力電子系統和集成電力電子模塊（IPEM）技術開始發展，它是當今電力電子界亟待解決的新問題之一。
關注點一：功率半導體器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“超級結”（Super-Junction）結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態電阻幾乎降低了一個數量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發展前途的高頻功率半導體器件。
IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有600V、2。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經過長時間的探索研究和改進，現在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。
IGBT的技術進展實際上是通態壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發展進程中，有以下幾種類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場截止（FS）型。
碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優點是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。
可以預見，碳化硅將是21世紀zui可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關注點二：開關電源功率密度
提高開關電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備（如，數字相機等）尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有：
一是高頻化。為了實現電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料*的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質傳送能量，其等效電路如同一個串并聯諧振電路，是功率變換領域的研究熱點之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯電阻ESR小、體積小等。
關注點三：高頻磁與同步整流技術
電源系統中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件，有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能*。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注，納米結晶軟磁材料也已開發應用。
高頻化以后，為了提高開關電源的效率，必須開發和應用軟開關技術。它是過去幾十年電源界的一個研究熱點。
對于低電壓、大電流輸出的軟開關變換器，進一步提高其效率的措施是設法降低開關的通態損耗。例如同步整流SR技術，即以功率MOS管反接作為整流用開關二極管，代替蕭特基二極管（SBD），可降低管壓降，從而提高電路效率。
關注點四：分布電源結構
分布電源系統適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站（如圖像處理站）、大型數字電子交換系統等的電源，其優點是：可實現DC/DC變換器組件模塊化；容易實現N+1功率冗余，提高系統可*性；易于擴增負載容量；可降低48V母線上的電流和電壓降；容易做到熱分布均勻、便于散熱設計；瞬態響應好；可在線更換失效模塊等。
現在分布電源系統有兩種結構類型，一是兩級結構，另一種是三級結構。
