IC半導體高低溫沖擊試驗機用途：  

國防工業、航天工業、自動化零組件、汽車部件、塑膠，化工業，食品業，制藥工業及相關產品之耐熱、耐寒、耐干性能及研發，品質管理工程之試驗規范。  

IC半導體高低溫沖擊試驗機特性： http://m.t-block.cn/st45716/list_257926.html 

◎全新歐美之防爆把手，的造型設計、外觀質感高水準、進口型多功能、擴展性強之控制器，操作簡單、學習容易、控制穩定可靠、可供溫濕度及低溫雙重試驗。  

◎寬敞明亮之視窗配高亮度熒光燈，讓使用者可隨時觀測試驗箱內的狀況。  

◎*的安全保護，確保機器本身及使用者安全。  

◎采用全毛細管，自動負載容量調整系統技術，較以往膨脹閥系統更穩定可靠。溫度控制更精確、升降溫速度快速、平穩、均勻、為使用者節約寶貴時間。  

◎特殊強制送風循環設計，可避免箱內的氣流死角，保證提供優良的溫度分布均勻度。  

◎圓弧之內箱結構設計，便于清洗。  

◎采用對臭氧系數為零的綠色環保（HFC）制冷劑R404A，R23。  

◎低噪音設計≦65Db。  

IC半導體高低溫沖擊試驗機性能指標：  

1.產品名稱：高低溫沖擊試驗機  

型號：TS-150  

2.IC半導體高低溫沖擊試驗機樣品限制：  

本試驗設備禁止：  

易燃、爆炸、易揮發性物質試樣的試驗及儲存  

腐蝕性物質試樣的試驗及儲存  

生物試樣的試驗或儲存  

強電磁發射源試樣的試驗及儲存  

IC半導體高低溫沖擊試驗機容積和尺寸：  

1.標稱內容積（L）：150L  

2.標稱內箱尺寸（mm）：W500×H500×D600  

IC半導體高低溫沖擊試驗機性能：  

1.測試環境條件：  

2.環境溫度：5～35℃  

3.相對濕度≤85%RH、循環冷卻水溫≤30℃  

4.循環冷卻水供水壓力為0.25～0.4MPa 試驗箱內無試樣（另有說明除外）  

IC半導體高低溫沖擊試驗機測試方法：  

1.溫度范圍：-55°C/+150°C  

2.溫度波動度：±0.5℃  

3.溫度偏差：±2.0℃  

4.高溫槽溫度范圍：60°C/+200°C  

5.低溫槽溫度范圍：-70°C/-10°C  

6.溫度變化速率：  

7.升溫速率:+60~+200℃≤30分鐘（高溫槽）  

8.降溫速率:-10~-70℃≤90分鐘（低溫槽）  

9.溫度恢復時間小于5分鐘  

10.溫度轉換時間小于10S  

11.除霜時間：150個循環以上  

12.沖擊時間：高溫（150℃）30min  

13.沖擊時間：低溫（-55℃）30min  

IC半導體高低溫沖擊試驗機滿足試驗標準：  

GB/T2423.1-2001試驗A：低溫試驗方法  

GB/T2423.2-2001試驗B：高溫試驗方法  

GB/T2423.22-2002試驗N：溫度變化試驗方法試驗Na  

GJB150.3-1986高溫試驗  

GJB150.4-1986低溫試驗  

GJB150.5-1986溫度沖擊試驗  

如未特殊說明，以上IC半導體高低溫沖擊試驗機性能指標均為空載情況下測定。