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IPA093N06N3G

規格：

FET 類型    N 溝道
技術    MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）    60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）    43A（Tc）
驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）    4V @ 34µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）    48nC @ 10V
Vgs（大值）    ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）    3900pF @ 30V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    33W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）    9.3 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型    通孔
供應商器件封裝    PG-TO220-3-31 整包
封裝/外殼    TO-220-3 整包

功能概述：

出色的柵極電荷x R DS（on）產品（FOM）
非常低的導通電阻R DS（on）
快速切換應用的理想選擇
符合RoHS標準 - 無鹵素
MSL1評級

優點：

所需的并行性較少
增加功率密度
系統成本降低
非常低的電壓過沖

目標應用：

同步整流
太陽能微逆變器
隔離的DC-DC轉換器
用于12-48V系統的電機控制
Or-ing交換機

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