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3760-00818半導體

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3760-00818半導體的分類及性能：

（1）元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體資料，容易遭到微量雜質和外界條件的影響而發作變化。目前，只要硅、鍺性能好，運用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要遭到二氧化硅的影響，可以在器件制造上構成掩膜，可以進步半導體器件的穩定性，利于自動化工業消費。

（2）無機合成物半導體。無機合成物主要是經過單一元素構成半導體資料，當然也有多種元素構成的半導體資料，主要的半導體性質有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的分離化合物，但遭到元素的特性和制造方式的影響，不是一切的化合物都可以契合半導體資料的請求。這一半導體主要運用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他資料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。關于導電率高的資料，主要用于LED等方面。

（3）有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式可以構成導帶，經過化學的添加，可以讓其進入到能帶，這樣能夠發作電導率，從而構成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比，具有本錢低、溶解性好、資料輕加工容易的特性。能夠經過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比擬廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。

（4）非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類資料。非晶半導體和其他非晶資料一樣，都是短程有序、長程無序構造。它主要是經過改動原子相對位置，改動原有的周期性排列，構成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列能否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難，隨著技術的創造，非晶態半導體開端運用。這一制造工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯現屏中。

（5）本征半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中短少一個電子后構成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電并不是實踐運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。[5]它們在外電場作用下產生定向運動而構成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而構成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴抵消失，稱為復合。復合時釋放出的能質變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并到達動態均衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純潔半導體的電阻率較大，實踐應用不多。