價格電議
KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
上海伯東美國 KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用于半導體后端的 6寸晶圓進行刻蝕
Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:
型號 | NS 7.5IBE | NS 10IBE | NS 20IBE-C | NS 20IBE-J |
適用范圍 | 適用于科研院所,實驗室研究 | 適合小規模量產使用和實驗室研究 | 適合中等規模量產使用的離子刻蝕機 | 適合大規模量產使用的離子刻蝕機 |
基片尺寸 | Φ4 X 1片或 | φ8 X 1片 | φ3 inch X 8片 | Φ4 inch X 12片 |
離子源 | 8cm 或 10cm | 10cm NS離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | 20cm 考夫曼離子源 |
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 歡迎聯絡上海伯東葉小姐,分機109
射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻