Setra GCT-225 系列超高純壓力變送器專門設計用于半導體工藝過程中的超高純氣體輸送系統以及要求超潔凈工作、高吞吐量和超高*穩定性的控制應用。
GCT-225 系列采用可旋轉的外罩結構,用戶可方便地調節用于零點和量程微調的12 圈電位計。標準的旋轉外螺紋/ 內螺紋端面密封壓力接口可滿足半導體行業的要求。此外,該系列產品還選用多種其他接口類型。GCT-225
系列產品提供5 VDC、10 VDC 或4-20 mA 三種輸出類型,可使用六英尺多芯電纜及卡口、D-Sub 或M12x1 接頭進行電氣連接。
GCT-225 系列壓力變送器采用Setra 的可變電容技術,配有VIM/ VAR 316L 不銹鋼隔膜和絕緣電極板。絕緣電極板與傳感器本地構成可變電容。當氣體壓力提升時,隔膜會變得略圓,使電容減小。傳感器將檢測到電容變化,并將其轉換為高精度的線性直流電信號。Setra *的定制集成電路采用的電荷平衡原理制成,幾乎不受EMI/RFI 干擾。
在制造和裝配完成后,Setra 超高純壓力變送器還要接受去離子水沖洗、高純熱氮氣吹掃、烘干、雙層包裝、氮氣充注和密封等處理,后才發貨。
注:Setra 的質量標準是根據ANSI-Z540 制定的。該產品的標定具有NIST 可追蹤性,美國號。
■ 泄露率低
■ VCR 接頭
■ 易于吹掃的小腔室
■ 200PSI/250PSI/3000PSI
特性
·316 L VIM/VAR 不銹鋼
·表面拋光度7 Ra
·VCR 接頭
·1×10-9 ATM.CC/sec 級別的氨滲漏實驗
·堅固耐用,*安裝
·4-20mA 輸出型獲得不易燃認證,適用于潛在危險區域
·符合CE 和RoHS 標準要求
規格
性能參數 | 物理參數 | 電氣參數(電壓) | ||||||
精度RSS1(恒溫下) | ±0.25%FS | 殼體 | 不銹鋼 | 電路 | 3線(COM,OUT,EXC) | |||
非線性(擬合直線) | ±0.15%FS | 電氣連接 | 6英尺/1.8米多芯電纜,4 針頭卡口接頭 | 輸出4 | 0~5VDC或0.2~5.2VDC5 0~10VDC或0.2~10.2VDC5 | |||
遲滯 | 0.20%FS | |||||||
溫度影響2 | 壓力接口 | #4外螺紋/內螺紋端面密封旋轉接頭,1/4NOT外螺 紋接頭或管接頭 | 激勵 | 5VFSO(滿量程輸出)時為10~30VDC 10VFSO(滿量程輸出)時為13-30VDC | ||||
溫度補償范圍 | -9~65℃ | |||||||
零點/滿程漂移 | 1.8%(%FS/50℃) | 輸出電阻 | 10Ω | |||||
暖機(預熱)偏移 | 總計為0.1%FS | 通氣 | 通過外殼 | 段及偏移 | 總誤差±0.1%FS | |||
泄漏試驗;使用質譜儀進行1×10-9ATM .CC/sec級別的氨滲漏試驗 | 內腔體積 | 0.11in3 | 功耗 | 0.03W | ||||
接液部件 | VIM/VAR316L不銹鋼,電解 拋光至7Ra(大10Ra) | 電氣參數(電流) | ||||||
壓力介質 | 電路 | 2線 | ||||||
與316L不銹鋼兼容的液體或氣體 | 重量 | 約113g | 輸出6 | 4~20mA7 | ||||
認證 | 環境參數 | 外部負載 | 0-800Ω | |||||
不易燃認證;適用于潛在危險區域的認證; | 工作溫度3 | -40℃+85℃ | 小供電 電壓(VDC) | 10+0.02x(接收器附加導線電阻) | ||||
存放溫度 | -40℃+85℃ | |||||||
北美;可選ETL認證,適用于ANSI/ISA -12.2.01-2011標準中列出的1類2區 A.B.C.D組成危險區域(選擇N1選項) | 電流輸出型(訂購N1選項時) | -30℃+80℃ (工作/儲存溫度) | 大供電電壓(VDC) | 30+0.004x(接收器附加導線電阻) | ||||
功耗 | ﹤0.9W | |||||||
歐洲;可選用于標準EN60079-0;2012的ATEX94/9/CE2區認證或EN60079-15;2010 11 3G EX nA llC T4 Gc-30℃﹤Ta﹤+80℃認證 (選擇N1選項) |
1. 非線性、遲滯、非重復性的RSS值(方和根)
2. 產品在21℃進行標定,大溫度影響誤差由此書記計算.
3. 電子元件的工作溫度限制,壓力介質的溫度可能明顯較高或較低。
4. 采用50KΩ負載進行標定,可在負數≥5KΩ時工作
5. 零點(滿量程)輸出:對于5VDC電源,出廠設置在±25mV以內;對于10VDC電源,出廠設置在±50mV以內
6. 出廠標定時采用250Ω負載,24VDC電源。
7. 零點輸出的出廠設置在±0.08mA以內,滿量程輸出的出廠設置在±0.16mA以內。