DT640硅二極管溫度傳感器
錦正茂硅二極管溫度傳感器DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
錦正茂硅二極管溫度傳感器DT64-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有*的優(yōu)勢(shì)。
特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)；
※ 多種可選封裝方式；
參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640
※ *激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓上等高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流上等高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ *激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只*在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不*在磁場(chǎng)環(huán)境下使用；
典型相應(yīng)曲線(xiàn)以及靈敏度
溫度范圍及精度：
等級(jí)或標(biāo)定范圍 | 溫度范圍 | 標(biāo)定范圍 | 精度 |
A | 3K~500K |
| ±0.25K |
B | 3K~500K |
| ±0.5K |
C | 3K~500K |
| ±1K |
3L | 3K~325K | 3K~330K | ±0.1K |
3H | 3K~500K | 3K~505K | ±0.1K |
70L | 70K~325K | 65K~330K | ±0.1K |
70H | 70K~500K | 65K~505K | ±0.1K |
溫度計(jì)精度=（校準(zhǔn)不確定度2 + 重復(fù)性2）0.5 | |||
封裝形式以及外形尺寸：
為滿(mǎn)足不同用戶(hù)使用條件的需求，錦正茂可以提供多種形式結(jié)構(gòu)類(lèi)型的溫度計(jì)封裝以及尺寸，下面幾種均為常見(jiàn)的封裝形式和其具體尺寸。我們也可以按照客戶(hù)需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。
MS：帶公制螺絲 BO：線(xiàn)軸封裝 PI：管式封裝 BC：裸片
錦正茂硅二極管溫度傳感器DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
錦正茂硅二極管溫度傳感器DT64-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有*的優(yōu)勢(shì)。
