半導體器件動態參數測試系統
系統概述
IGBT是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。
半導體器件動態參數測試系統，該系統是針對IGBT器件的開關性特性及IGBT內部續流二極管的反向恢復特性而專門設計的一套全自動測試系統，適用于電流不超過
半導體器件動態參數測試系統
系統概述
IGBT是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。
半導體器件動態參數測試系統，該系統是針對IGBT器件的開關性特性及IGBT內部續流二極管的反向恢復特性而專門設計的一套全自動測試系統，適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關時間測試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復特性的測試。
基礎規格
環境溫度：25～35℃
相對濕度：小于75%
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa
電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
電網頻率：50Hz±1Hz
參數/條件
IGBT開通特性測試 | IGBT關斷特性測試 | 測試氣動夾具 | |||
測試參數 | 開通延遲 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關斷時間tdoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 壓力： 5000PA的品牌空壓機供氣。 控溫范圍： 25℃-200℃ 控溫精度： ±1.0℃±1% 器件接觸： 20個探針的接觸矩陣
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上升時間 tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 下降時間tf | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
開通能量 Eon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關斷能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
測試條件 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據用戶要求定制 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據用戶要求定制 | |
集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據用戶要求定制 | 集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據用戶要求定制 | ||
負載L | 20-1000uH | L負載 | 20-1000uH | ||
柵極電壓Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路測試Sct | 一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA | ||||
二極管反向恢復測試Drr | 反向恢復電流 / 反向時間 / 反向di / dt | ||||
