西安長禾實驗室介紹
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市*開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有的系統設備、專業的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有*的測試儀器設備100余臺套，專業測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創新服
半導體器件動態參數測試系統
系統概述
IGBT是廣泛應用于現代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件，其開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測量功率開關元件的開關性能具有極其重要的實際意義。
半導體器件動態參數測試系統，該系統是針對IGBT器件的開關性特性及IGBT內部續流二極管的反向恢復特性而專門設計的一套全自動測試系統，適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關時間測試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復特性的測試。
基礎規格
環境溫度：25～35℃
相對濕度：小于75%
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa
電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
電網頻率：50Hz±1Hz
參數/條件
IGBT開通特性測試 | IGBT關斷特性測試 | 測試氣動夾具 | |||
測試參數 | 開通延遲 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關斷時間tdoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 壓力： 5000PA的品牌空壓機供氣。 控溫范圍： 25℃-200℃ 控溫精度： ±1.0℃±1% 器件接觸： 20個探針的接觸矩陣
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上升時間 tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 下降時間tf | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
開通能量 Eon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關斷能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
測試條件 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據用戶要求定制 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據用戶要求定制 | |
集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據用戶要求定制 | 集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據用戶要求定制 | ||
負載L | 20-1000uH | L負載 | 20-1000uH | ||
柵極電壓Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路測試Sct | 一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA | ||||
二極管反向恢復測試Drr | 反向恢復電流 / 反向時間 / 反向di / dt | ||||
雪崩耐量測試系統
概述
雪崩耐量測試儀是測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據客戶需求）等多個部分。
規格/環境要求
電壓頻率：50Hz±1Hz
環境溫度：25～35℃
工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。
工作電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
系統功耗：320W
技術指標
配置 | 測試范圍 | 測試參數 | 條件 | 范圍 | |
電壓 1000V | IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
電流 200A | MOSFETs MOS場效應管 | EAR/重復脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
DIODEs 二極管 | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J | |
PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測 | 50mV/A（取決于傳感器） | |||
感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | ||||
重復間隙時間 | 1-60s可調（步進1s）重復次數：1-50次 | ||||
