▼概要
膜厚測定裝置UTS-2000采用的分光分析技術，可以非接觸，非破壞高速而且高精度的測量基板膜，基板厚，雕刻殘余等的膜厚。 另外，使用標配的自動樣品臺可以分析電子元件內的膜厚分布。另外，有豐富的配件，測量擴散層之類的基板和膜界面不明朗膜厚的波長擴張組件，測量Si中雜質輕元素含量的透過測量系統，分析濃度的數據解析軟件等，也可以對應膜厚測量之外的測量。另外，可以與自動搬送裝置組合，對應產品研發到評價廣泛的需求。
◆特征
?可測量0.25～750μm的測量大范圍的膜厚（基板厚）
?采用高精度干渉計和高通量光學系統、可測量高準確度的膜厚數據。
?測量膜厚的必須條件?映射?膜厚計算的個條件可以作為菜單登陸管理
?可長波長擴張。可對應除去大氣噪音的真空裝置
?可測量Si 中的雜質輕元素、以及電子元件的透過測量
?對應自動搬送裝置（配件）
◆測量原理
膜厚測量裝置通過解析紅外區域的干涉光譜，非破壞?非接觸、高速而且高準確度計測膜厚。 通過計測可得到膜厚的周期干涉光譜。 干涉光譜由日本分光的周波數解析法轉變為的公式通過峰值高準確度的算出膜厚。
◆高計測再現性
下圖表示硅晶膜反復計測結果。反復計測10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚測量裝置具有很高的計測再現性。
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◆膜厚計測程序
搭載了用戶可以簡單測量的程序。(如下圖)
◆規格
▼UTS-2000
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