磁控濺射是物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition, PVD)的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料，具有設備簡單、易于控制、效率高，面積大等優點。
磁控濺射原理：通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
技術參數：
1 本底真空：10-7Torr到10-9Torr；
2 單基片設計，尺寸可定制，常規尺寸2-6英寸；
3 基片可旋轉并加熱：300℃/500℃/800℃；
4 最多可拓展8支磁控濺射靶槍，可共濺射；
5 靶槍角度可調，濺鍍距離可調，可升級強磁靶；
6 可選配多路氣路；
7 防交叉污染隔板設計；
8 可配備離子束輔助沉積；
9 可配備樣品預清洗功能；
10 可配備快速進樣室；
11 可配備自動壓力控制系統；
12 全自動操作系統；
| 產品名稱 | 參考價 | 地區 | 公司名稱 | 更新時間 | |
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