樣品容量：全200mm晶片、150mm晶片、晶片碎片和短柱安裝樣品。Loadlock允許樣本傳輸時(shí)間<2min；
操作平臺(tái)：在x軸和y軸上進(jìn)行200mm的平臺(tái)運(yùn)動(dòng)。Z軸范圍15mm。連續(xù)旋轉(zhuǎn)。傾斜范圍-5至55度。精度<1um絕對(duì)平均值且<2um（85%公差間隔）超過(guò)25mm；
電子束性能：肖特基場(chǎng)發(fā)射槍?zhuān)](méi)式最終透鏡分辨率3nm，5kV 5mm WD。電壓范圍為200V至30kV；
離子束性能：1500小時(shí)鎵離子源。7nm分辨率。工作電壓為5kV至30kV。束流1pA至11nA；
探測(cè)器：通過(guò)透鏡檢測(cè)器（TLD）和連續(xù)雙節(jié)點(diǎn)電子倍增器（CDEM）進(jìn)行二次電子、背散射電子和二次離子檢測(cè)。紅外CCD攝像機(jī)，用于樣品的低倍率圖像；
束化學(xué)：XeF2用于Si和SiO2研磨增強(qiáng)。離子束和電子束沉積六羰基鎢，用于沉積鎢金屬焊盤(pán)、通孔和線(xiàn)路。兩個(gè)額外氣體噴射器的容量。TEO用于沉積絕緣膜，H2O用于增強(qiáng)碳基材料的研磨，鉑和鉬用于沉積導(dǎo)線(xiàn)和通孔；
樣品操縱器：用于從晶圓基板提取銑削薄片樣品的軟件控制探針。
